大尺寸碳化硅SiC晶体材料项目教材幻灯片.pptVIP

博信生物晶片項目介紹 Proprietary Confidential 大尺寸碳化硅 SiC 晶体材料项目 项目概况 国内外研究现状和生产工艺路线比较 -- 国外研究现状 -- 国内研究现状 -- 生产工艺路线比较 产业现状 市场分析 国家 863 计划对该项目的支持情况 项目知识产权情况 项目发展目标和规划 所需资金分析, 对被引进投资者之要求, 投资回报率 合作方式 项目概况 Si --元素半导体 -- 第一代半导体材料 GaAs、GaP、InP-- III-V族半导体 --第二代半导体材料 SiC、GaN 、 CBN-- 宽带隙半导体（WBS）-- 第三代半导体材料 特点 禁带宽度大、高临界电场、高热导率、高电子迁移速度、 高机械强度、化学性能稳定、抗辐射能力强、热稳定性好 应用 大容量低损耗功率器件、高频高速器件、特殊环境（高温、 高压、高辐射、耐腐蚀）下使用的功率器件、光微电子器件 军事及核能、航空和航天、雷达和通讯、电力及石化、 精密制造及汽车工业、数据存储及照明技术、医疗及宝石业 半导体材料性能参数一览表 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC Si GaAs 禁带宽度（Eg） 3.02eV 3.26 2.40 1.12 1.43 击穿电场（Eb） 2.40MV/cm 2.2 2.5 0.25 0.4 热导率（Hk） 4.9W/cm?K 4.5 4.9 1.5 0.5 饱和速度（Vsat） 2.5×107 cm/s 2.5 2.5 1.0 2.0 电子迁移率（?e） 370a cm2/v?s 700 1000 1350 8500 空穴迁移率（ ?p） 40cm2/v?s 115 101 471 330 载流子浓度（ni） 1.6×10-6/cm3 5×10-9 1.6×10-6 1×1010 1.8×106 介电常数（?r） 9.72 9.70 9.66 11.7 12.8 德拜温度（Kd） 1240℃ 1200 873 300 460 国内外研究现状和生产工艺路线比较 国外研究现状 美国 “ 国防与科学计划 ” – WBS 发展目标 军方资助 Cree Research Inc. 等进行 SiC 单晶片、大尺寸器件 外延片的研制及开发 相关企业及研究机构: Cree , Sterling , II-VI Inc , ATMI, GE, Carnegie Mellon Univ., North Carolina State Univ. , Case Western Reserve Univ. , Cornell Univ. , Purdue Univ. , NASA, Air Force, Northrop Grumman etc. 日本 “ 硬电子国家计划 ” ( 5 年 ) 研发高能、高速、高频微电子器件, 用于空间、原子能、 信息存储、通讯 相关企业及研究机构: Nippon Steel, 京都大学、电子技术综合研究所等 欧洲 俄罗斯: Tairov’s Lab. , FTIKKS 德 国: SiCrystal, Erlanger Univ., Inst. f?r Kristallz?chtung 瑞 典: Epigress, Okmetic AB, Link?ping Univ. 法国、芬 兰 Cree 发展水平 1988 年 解决 SiC 晶体关键生长技术 1989 年 ? 1” 6H-SiC 晶片市场化, 第一个商业用 SiC 蓝光 LED 1997 年 ? 2” 6H-SiC 晶片市场化 核心技术: SiC 单晶体生长、晶片加工、GaN 外延片、芯片至器件 产品: 紫外/蓝/绿光 LED 、激光存储、数字微波通讯、 功率开关器件、宝石原料 营收: 2.03 亿美元 ( 2002年 ), 占全球 SiC 市场 90% 至2002年增长率 2367% 国内研究现状 中科院上海硅酸盐研究所 1970 年代 SiC 晶体生长研究 1997 年 九五 “863” SiC 晶体生长项目, ? 1.5” 6H-SiC 中科院物理研究所、力学研究所、山东大学、西安电子科技大学、46 所等 上海德波塞康 ( DBSK ) 科研公司 以上硅所技术力量为基础, 自主研发SiC 晶体生长工艺及设备; 国内唯一具备 2” SiC 小批量生产能力的企业; 技术水平国内绝对领先, 国际九十年代后期先进地位 生产工艺路线比较 SiC 晶体生产工艺路线 晶种及原料处理 晶体生长 晶体加工 晶体性能测试 产品包装 关键设备 晶体生长炉及微机控制系统、晶体切割设备、研磨设备、抛