[哲学]半导体物理学第2章.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 杂质半导体和杂质能级 间隙式杂质，替位式杂质 Si、Ge都具有金刚石结构，一个晶胞内含有8个原子。 由于晶胞内空间对角线上相距1/4对角线长度的两个原子为最近邻原子， 恰好就是共价半径的2倍，因此晶胞内8个原子的体积与立方晶胞体积之比为34%，即晶胞内存在着66%的空隙。 所以杂质进入半导体后可以存在于晶格原子之间的间隙位置上，称为间隙式杂质，间隙式杂质原子一般较小。 也可以取代晶格原子而位于格点上，称为替（代）位式杂质，替位式杂质通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。 Ⅲ、Ⅴ族元素掺入Ⅳ族的Si或Ge中形成替位式杂质，用单位体积中的杂质原子数，也就是杂质浓度来定量描述杂质含量多少，杂质浓度的单位为1/cm3 。 施主能级和受主能级 掺入施主杂质的半导体，施主能级ED上的电子获得能量ΔED后由束缚态跃迁到导带成为导电电子，因此施主能级ED位于比导带底Ec低ΔED的禁带中，且ΔEDEg。 空穴由于带正电，能带图中能量自上向下是增大的。 对于掺入Ⅲ族元素的半导体，被受主杂质束缚的空穴能量状态(称为受主能级EA )位于比价带顶Ev低ΔEA的禁带中，ΔEA Eg ，当受主能级上的空穴得到能量ΔEA后，就从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴。 下图是用能带图表示的施主杂质和受主杂质的电离过程。 以Ge中掺Au为例： 图中Ei表示禁带中线位置， Ei以上注明的是杂质能级距导带底Ec的距离， Ei以下标出的是杂质能级距价带顶Ev的距离。 半导体器件和集成电路生产中就是利用杂质补偿作用，在n型Si外延层上的特定区域掺入比原先n型外延层浓度更高的受主杂质，通过杂质补偿作用就形成了p型区，而在n型区与p型区的交界处就形成了pn结。如果再次掺入比p型区浓度更高的施主杂质，在二次补偿区域内p型半导体就再次转化为n型，从而形成双极型晶体管的n-p-n结构。 图2.16 晶体管制造过程中的杂质补偿 图2.13 Si中的Ⅴ族杂质和Ⅲ族杂质 把主要依靠电子导电的半导体称为n型半导体。n型半导体中 电子称为多数载流子，简称多子；而空穴称为少数载流子， 简称少子。 施主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子， 并成为带正电的离子。如Si中的P 和As N型半导体 As 半导体的掺杂 施主能级 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 P型半导体 受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴， 并成为带负电的离子。如Si中的B P型半导体 B 半导体的掺杂 受主能级 杂质半导体的示意图 + + + + + + + + + + + + N型半导体 多子—电子 少子—空穴 － － － － － － － － － － － － P型半导体 多子—空穴 少子—电子 少子浓度——由本征激发产生，与温度有关 多子浓度——与所掺杂质浓度有关与温度无关 1、本征半导体的两种载流子------电子和空穴 2、本征半导体的特性 光敏特性——光照增强时，导电性能加强。 热敏特性——温度升高时，导电性能加强。 可掺杂特性——掺入微量的其他元素，导电能力大大加强。 3、杂质半导体 杂质半导体的分类：N型半导体和P型半导体。 N型半导体——电子型半导体 在本征半导体中掺入五价元素，由于杂质原子的最外层有5个价电子，因此它与周围 4个硅（锗）原子组成共价键时，多余出1个价电子，它不受共价键的束缚而为自由电子，并留下带正电的杂质离子，它不能参与导电。 N型半导体的多子 N型半导体的少子 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 P型半导体——空穴型半导体 在本征半导体中掺入三价元素，由于杂质原子的最外层有3个价电子，因此它与周围 4个硅（锗）原子组成共价键时，多余出1个“空位子”即空穴。 P型半导体的多子 P型半导体的少子 注意： 1.不论N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。 2.杂质半导体多子和少子移动都形成电流。主要是多子起导电作用。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 表 Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗晶体中的电离能(eV) 0.011 0.011 0.01 0.01 0.0096 0.0127 0.0126 Ge 0.16 0.065 0.057 0.045 0.039 0.04