太阳能电池的原理及发展趋势.docVIP

太阳能电池的原理及发展趋势 前言 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能发电有两种方式，一种是光一热一电转换方式，另一种是光一电直接转换方式。其中，光一电直接转换方式是利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能，光一电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种大有前途的新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大优点。太阳能电池寿命长，只要太阳存在，太阳能电池就可以一次投资而长期使用；与火力发电、核能发电相比，太阳能电池不会引起环境污染；太阳能电池可以大中小并举，大到百万千瓦的中型电站，小到1只供一户用的太阳能电池组，这是其他电源无法比拟的。 太阳能电池的工作原理 太阳能电池的工作原理基础是：半导体P—n结的光生伏打效应。所谓光生伏打效应，简言之，就是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照射半导体P—n结时，就会在P—n结的两边出现电压，叫光生电压。使P．n结短路，就会产生电流。 单晶硅的原子是按照一定的规律排列的。硅原子的外层电子壳层中有4个电子，如图1所示。 每个原子的外层电子都有固定的位置，并受原子核的约束。它们在外来能量的激发下，如在太阳光辐射时，就会摆脱原子核的束缚而成为自由电子，并同时在它原来的地方留出一个空位，即半导体物理学中所谓的“空穴”。由于电子带负电，空穴就表现为带正电。电子和空穴就是单晶硅中可以运动的电荷。在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。如果在晶体硅中掺人能够俘获电子的硼、铝、镓或铟等杂质元素，那么它就成为空穴型半导体，简称P型半导体。如果有硅晶体中掺入能够释放电子的磷、砷或锑等杂质元素，那么它就成了电子型的半导体，简称n型半导体。若把这两种半导体结合在一起，由于电子和空穴的扩散，在交界面处便会形成p-n结，并在结的两边形成内建电场，又称势垒电场。由于此处电阻特别高，所以也称为阻挡层。当太阳光照射p-n结时，在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子，相应地便产生了电子——空穴对，并在势垒电场的作用下，电子被驱向凡型区，空穴被驱向P型区，从而使n区有过剩的电子，P区有过剩的空穴；于是，就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场，如下图2所示。 光生电场的一部分抵消势垒电场，其余部分使P型区带正电，n型区带负电；于是，就使得在n区与P区之间的薄层产生了电动势，即光生伏打电动势。接通电路时便有电能输出。这就是P．凡结接触型单晶硅太阳能电池发电的基本原理。若把几十个、数百个太阳能电池单体串联、并连起来，组成太阳能电池组体，在太阳光的照射下，便可获得相当可观的输出功率的电能。 太阳能电池的基本电学性能 (1)太阳能电池的极性 太阳能电池一般组成P+／n型结构或n+／p型结构。其中，第一个符号，即P+和n+，表示太阳能电池正面光照层电导体材料的导电类型；第二符号，即佗和P，表示太阳能电池背面衬底半导体材料的导电类型。 太阳能电池的电性能与制造电池所用的半导体材料的特性有关。在太阳光照射时，太阳能电池输出电压的极性，P型一侧电极为正，n型一侧电极为负。当太阳能电池作为电源与外电路连接时，太阳能电池在正向状态下工作。 (2)太阳能电池的电流一电压特性 理想的p-n结特性曲线方程为： 式中，IO——太阳能电池在无光照射时的饱和电流； q——电子电荷； KB——理尔兹曼常数； A——常数因子(正偏压大时A=1，正偏压小时A=2)。 当IL=0时，电压U即为UOC，可用下式表示： 根据以上两式作图，就可得到太阳能电池的电流一电压关系曲线。这个曲线简称为厶U曲线或伏安曲线，如图3所示。 Imp为最大负载电流，Ump为最大负载电压。在此负载条件下，太阳能电池输出功率最大，在电流一电压坐标系中对应的这一点，称为最大功率点；对应的负载，称为最大负载。评价太阳能电池的输出特性，还有一个重要参数，叫做填充因子(FF)。它与开路电压短路电流和负载电压、负载电流的系数关系为： 太阳能电池的光电转换效率 （1）光电转化效率 太阳能电池的光电转换效率指的是太阳能电池的最大输出功率与照射到电池上的入射光的功率之比。与它的结构、结特性、材料性质、电池的工作温度、放射性粒子辐射损坏和环境变化有关。目前硅太阳能电池的理想转换效率的上限值为33％左右；商品单晶硅太阳能电池的转换效率一般为12％一15％，高效单晶硅太阳能电池的转换效率为18％一20。 （2）提高太阳能电池效率的主要措施 影响太阳能电池效率的因素主要有电学损失和光学损失。光学损失主要是表面反射、遮挡损失和电池材料本身的光普效应特性。电量转换损失包括载流子损失和欧姆损失。太阳光之所以仅有很少的百分比转换为电能，原因归结于不管是哪一种材料的太阳能电池都不能将全部的太阳光转换为电流。晶体