考研专业课：材料科学基础7-位错理论基础.pptVIP

本 章 重 点 一.名词 全位错 不全位错(部分位错) 扩展位错 位错反应 位错塞积 柯氏气团 二.位错与点缺陷的交互作用 1.交互作用原理及其结果； 2.固溶强化现象及其位错理论解释。 三.实际晶体中的位错 1.面心立方晶体中的不全位错及扩展位错； 2.位错反应。 * 8 位错理论基础 讨 论 (1)在置换固溶体中 当溶质原子大于溶剂原子(RR0)时,?0,溶质原子分布在滑移面的下部,U0,是稳定的状态。越靠近位错线,越稳定。 当溶质原子小于溶剂原子(RR0)时,?0,溶质原子分布在滑移面的上部,U0,是稳定的状态。越靠近位错线,越稳定。 结论：在置换固溶体中,较小的溶质原子倾向分布在滑移面上部的位错线附近;较大的溶质原子倾向分布在滑移面下部的位错线附近。 (2)在间隙固溶体中 间隙溶质原子尺寸为R，孔洞尺寸就是间隙半径R0，RR0，所以?0，间隙溶质原子总是分布在滑移面的下部靠近位错线附近。 结论：在间隙固溶体中，间隙溶质原子总是分布在滑移面的下部靠近位错线附近。 Cottrell(柯氏)气团－间隙固溶体中，C、N间隙原子聚积在位错线附近形成的溶质原子气团。 2.螺型位错与溶质原子的交互作用 若溶质原子产生的应力场是球形对称的，则位错与点缺陷之间不发生交互作用。 若溶质原子的应力场是非球形对称的,则位错与点缺陷之间发生交互作用。如体心立方,间隙原子位于八面体间隙产生四方形畸变应力场。 bcc中,间隙原子偏聚在螺型位错线附近形成的气团称为Snoeck(史氏)气团。 3.固溶强化的位错理论解释 溶质原子与位错的交互作用及溶质原子气团的形成。 溶质原子与位错交互作用,形成柯氏气团、史氏气团及其它原子气团, 钉扎位错,位错运动须摆脱钉扎及拖着原子气团一同运动,需要更大外力, 因此晶体得以强化。 7.4 位错的起源与增殖 位错的起源 1.晶体生长过程中产生位错 凝固时,杂质原子不均匀分布使先后凝固的晶体成分和点阵常数不同,之间形成位错作为过渡； 由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响，使生长的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差，它们之间会形成位错； 晶体生长时, 晶粒发生碰撞或因液流冲击、冷却时的热应力等原因,使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错。 2. 自高温较快凝固后的晶体内存在大量过饱和空位，空位的聚集能形成位错。 3. 晶体内某些界面(如第二相质点、孪晶、晶界等)和微裂纹的附近,由于热应力和组织应力的作用,往往出现应力集中, 应力高时局部区域发生滑移, 导致该区域产生位错。 二.位错的增殖 剧烈变形可使位错密度增加4-5个数量级, 这说明晶体变形过程中位错会以某种方式不断地生成与增殖。 常见位错增殖的方式有以下几种。 1.Frank-Read(F-R)位错源 位错增殖机制： AB两端固定的一段位错线, 在均匀切应力作用下； 单位长度位错线受力 位错线各处线速度相等，发生弯曲。 异号位错运动方向相反，相遇时抵消 位错线张力作用，形成 位错环和位错直线。 F-R源开动的临界切应力： 位错弯曲成曲率半径R时需外力 弯曲时曲率半径变化,半圆形时R最小, R＝L/2。 故F-R源能够增殖位错的临界切应力为 Frank-Read位错增殖机制已为实验所证实； 在硅、镉、Al-Cu，Al－Mg合金，不锈钢和氯化钾等晶体中直接观察到了F-R源。 2.双交滑移位错增殖机制 位错增殖原理： 螺型位错在其滑移面上滑移； 在某处,螺型位错滑移受阻；  发生交滑移,在位错线上形成两个刃型位错的台阶； 交滑移绕过障碍,又回到原来滑移面继续滑移(双交滑移)。位错线段CD由于AC的BD钉扎而成为F-R源,在外力作用下不断生成位错环。 7.5 实际晶体中的位错 前述的位错基本知识以简单立方晶体为前提。 实际晶体结构多种多样,位错更为复杂,除具有前述的共性外,还有一些特殊性质和复杂组态。 实际晶体中,位错的柏氏矢量除了等于点阵矢量外,也可以小于或大于点阵矢量。 全位错－柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错(或单位位错)。 不全位错－柏氏矢量不等于点阵矢量的位错称为不全位错(或部分位错、分位错)。 一.面心立方晶体中的位错 1.全位错 面心立方点阵,最短点阵矢量 ,长度 ，次短点阵矢量为 ,长度 。 位错能量与b的平方成正比，故b为 的位错能量是b为 的位错能量的一半。 面心立方晶体中，全位错是 ，其滑移面为{111}。 2. 堆垛层错的概念 堆垛层错－晶体局部区域因密排面的排列顺序出现差错而形成的面缺陷称为堆垛层错，简称层错。 面心立方结构的正常堆跺顺序：{111}面按ABCABC