[工学]三极管.ppt

1. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.3.3 特性曲线 1. 输入特性 输出特性 1.3.4 主要参数 一. 共发射极电流放大系数 1.4 MOS场效应管 2. 场效应管的主要参数 1.4 特种半导体器件简介 1.4.1 光敏电阻 1.4.2 N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。 UGS越大沟道越宽，导电能力越强， ID越大。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通。 所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 1.4.3 特性曲线及主要参数 有导电沟道 （1）转移特性曲线： UDS一定时UGS与ID的 关系 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ 1、特性曲线 当UGS＜UTh时，ID=0； 当UGS=UTh (图中2V)时；管子开始导通； 当UGS＞UTh时，ID随UGS的增大而增大。 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 夹断区 (2）输出特性 输出特性是指在某一固定的UGS下，漏源电压UDS与漏极电流ID之间的关系 分为三个区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。 a. 可变电阻区 曲线呈上升趋势，基本上可看做通过原点的一条直线，管子的漏－源之间可等效为一个电阻，此电阻的大小随UGS而变，故称为可变电阻区。 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 夹断区 b.恒流区 随着UDS增大，曲线趋于平坦，ID不再随UDS的增大而增大，故称为恒流区。此时ID的大小只受UGS控制，体现了场效应管电压控制电流的放大作用。 c.夹断区 特点是当UGS＜UTh时，沟道消失，ID＝0。 （1）开启电压UT 增强型MOS管在UDS为某一固定值时，为使管子由截止变为导通，形成ID，栅源之间所需的最小的UGS。 （4）跨导 ： UDS一定时，漏极电流ID与栅源电压UGS的微变量之比定义为跨导，即 gm是表征场效应管放大能力的重要参数（相当于半导体三极管的电流放大系数β），单位为 （2）击穿电压U（BR）DS 漏极和源极间允许的最大电压。 （3）直流输入电阻RGS ： 栅源之间的电压与栅极电流之比定义为直流输入电阻RGS。MOS场效应管的RGS可达 光敏电阻有暗电阻、亮电阻和光电流等参数。 （1）暗电阻 光敏电阻在室温下，全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 (2）亮电阻 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流称为亮电流。 （3）光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。 1.4.2 热敏电阻 热敏电阻的主要参数有标称电阻值、电阻温度系数和耗散系数等。 （1）标称电阻值R25 热敏电阻在25℃时的阻值，又称冷阻。标称电阻是阻值的大小由热敏电阻材料和几何尺寸决定。 （2）电阻温度系数 电阻温度系数是指热敏电阻的温度变化1℃ 时其阻值变化率与其值之比，即 （3）耗散系数H 耗散系数是指热敏电阻温度变化1℃ 所耗散的功率。其大小与热敏电阻的结构、形状以及所处介质的种类、状态等有关。 1.4.3 压敏电阻 压敏电阻的主要参数有压敏电压、电压温度系数和非线性系数等。 （1）压敏电压U1mA 压敏电压是指在直流工作电压条件下，压敏电阻中流过规定直流电流时，