[工学]华中师范大学模电课件14.ppt

课 程 回 顾——三极管的电流分配关系及放大原理 课 程 回 顾——三极管的电流分配关系及放大原理 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 2.输出特性曲线 iC=f (uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 四. 三极管的主要参数 1.电流放大倍数 2. 极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 三极管有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 课 程 回 顾——三极管的特性 课 程 回 顾——三极管的特性 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 在饱和区内，iD 可以近似地表示为： iD = IDSS（1 – uGS / UP）2 饱和漏电流 夹断电压 4. 结型场效应管的主要参数 （1）夹断电压UP 当uDS为某一固定值时，使iD 近似为0时栅源之间所加的电压。 （2）饱和漏极电流IDSS 当uGS=0时，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 （3）最大栅源电压U（BR）GS （4）最大漏源电压U（BR）DS （5）直流输入电阻RGS （6）低频跨导gm gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位S) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。是表征场效应管放大能力的一个重要参数。 （7）输出电阻rD （8）最大耗散功率PDM 二. 绝缘栅场效应三极管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 符号： N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 增强型 增强型 耗尽型 耗尽型 - - - - s b g d - - - - - g s d b 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 （a）uds=0时， id=0。 （b）uds ↑→id↑； 同时沟道靠漏区变窄。 （c）当uds增加到使ugd=UT时， 沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）uds再增加，预夹断区 加长， uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变。 （3）特性曲线 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 ①输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹