[工学]半导体器件原理与工艺器件3.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 开关特性-4 大信号等效电路 短沟道效应 沟道长度缩短所带来的问题是，可能出现与长沟道效应，即按经典的长沟道理论预示的特性的偏离，这些偏离就是短沟道效应。 一般来说，沟道长度和源漏耗尽区宽度可以比拟，或沟通宽度与栅下表面耗尽区厚度可以比拟时出现短沟通效应。 短沟道效应-1 短窄沟效应 电荷分享原理 交界区的电离受主电荷一部分属于表面耗尽区，另一部分属于源漏耗尽区。 短沟道效应-2 电荷分享原理 定义： 短沟道效应-3 窄沟道效应 迁移率调制效应 短沟MOSFET实际测量的共源输出特性与长沟特性相比，显示出以下偏离： 饱和漏源电压及饱和漏电流都小于长沟理论预示值。 IDsat与(VGS-VT)间不呈现平方律关系，而近似是线性变化关系，饱和区跨导近似等于常数。 明显的不完全饱和，沟道长度愈短．饱和区漏源电导愈大。 迁移率调制效应-1 沟道载流子迁移率随垂直于Si／SiO2界面方向电场强度的变化而改变。电场愈强, 则反型载流子愈加贴近表面，表面散射增强，因而有效迁移率下降。 迁移率调制效应-2 考虑迁移率调制效应的电流 迁移率调制效应-3 仅考虑水平电场作用下，利用速度饱和效应得到 漏场感应势垒下降(DIBL)效应 VDS=0时，长沟道器件中栅下表面电子势能对称分布；沟道缩短时．由于源和漏扩散区互相靠近，它们之间的空间间隔有可能不够容纳两个耗尽区，这种贴近效应导致出现势能单一峰值和势垒下降。 VDS0时，从漏区发出的场强线的一部分一直穿透到源区，漏区增加的电荷不仅对靠近漏区的沟道及耗尽区有影响，而是对整个栅极下面半导体内的表面电荷都有影响．这就使势垒更加降低。 漏场感应势垒下降(DIBL)效应1 衬偏电压等于常数时有效阈电压随VDS增加而下降 漏场感应势垒下降(DIBL)效应2 亚阈值区，载流子主要的运动形式是扩散，亚阈值电流是由越过源端势垒注入到沟通区的电子流形成的。势垒高注入量少。亚阈值电流就小；反之势垒低注入量多，亚阈值电流就大。势垒高度受VDS控制，因而IDsub随VDS的变化而改变。 长沟道亚阈值特性的最小沟道长度 根据电学特性判断器件是否发生短沟道效应 两种判断方法： 测量导通状态下漏电流随1/L的变化关系。长沟器件ID与1/L间满足线性变化关系，偏离线性关系即意味着出现短沟通效应。 测量亚阈值电流随VDS的变化。在两个指定的VDS之下测出的IDsub若不相等，则发生了短沟道效应。 长沟道亚阈值特性的最小沟道长度1 长沟道亚阈值特性最小沟道长度的经验表示式： 半导体器件原理 半导体基础 pn结 BJT MOS结构基础 MOSFET MS接触和肖特基二极管 JFET 和 MESFET简介 MS接触和肖特基二极管 特点 金属和半导体之间没有任何夹层 金属和半导体之间没有互扩散 MS界面没有吸附的杂质或表面电荷 MS接触和肖特基二极管 偏压对MS结构的影响 理想MS接触的电学特性 N型半导体 P型半导体 整流 欧姆 欧姆 整流 实际的MS接触 整流接触 界面自然氧化层和表面态的存在, 使MS整流特性变差 欧姆接触 半导体掺杂1017cm-3 加热或退火 Silicide 半导体器件原理 半导体基础 pn结 BJT MOS结构基础 MOSFET MS接触和肖特基二极管 JFET 和 MESFET简介 基本概念 Junction Field Emission Transistor(JFET) 20世纪20~30年代发明 Non-linear voltage-controlled resistor Use of “drain” and “source” for output loop “gate” and “source” for input loop Use reverse-biased P-N juntion to control cross-section of device Total resistance depends on voltage applied to the gate JFET的结构 JFET的工作原理 栅电压控制耗尽区宽度 P+ P+ D S G G n 特性 MESFET 半绝缘GaAs N+ N+ N-GaAs D S 肖特基接触形成栅 G JFET、MESFET和BJT的区别 MESFET与JFET原理相同，不同点是JFET中的栅PN结为肖特基结。 JFET的电流传输主要由多数载流子承担，不出现少数载流子存储效应。有利于达到较高的截止额率和较