[光电信号检测]第5章 光伏探测器.pptVIP

光电信号检测 光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。 对于不均匀半导体，由于同质的半导体不同的掺杂形成的pn结、不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场。当光照这种半导体时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴，它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和积聚而产生电位差，这种现象是最重要的一类光生伏特效应。 对于均匀半导体，由于体内没有内建电场，当光照这种半导体一部分时，由于光生载流子浓度梯度的不同而引起载流子的扩散运动。但电子和空穴的迁移率不等，由于两种载流子扩散速度的不同而导致两种电荷的分开，从而出现光生电势。 如果存在外加磁场，也可使得扩散中的两种载流子向相反方向偏转，从而产生光生电势，称为光磁电效应。 通常把丹倍效应和光磁电效应称为体积光生伏特效应。 一、由势垒效应产生的光生伏特效应 电位差的产生机理是利用势垒形成的内建电场将光生电子和光生空穴分开。 当光未照射时，p区和n区的多数载流子就会向对方扩散，这样在两种材料的接界处形成由n区指向p区的内建电场。该电场阻止两边载流子的扩散，在界面处形成一个稳定的内建电场E内。 从能量角度看，在热平衡时，内建电场E内引起的电子和空穴的漂移电流和扩散电流相平衡，在pn结区形成了一个势垒。 在恒定光照下，只要入射光子的能量比半导体禁带宽度大