[工学]计原4存储器系统.ppt

它共有4096个存储单元电路，排列成64×64的阵列。对4096个存储单元进行寻址，需要12位地址，在此将其分为6位行地址和6位列地址。对于一个给定的访问某个存储单元电路的地址，分别经过行、列地址译码器的译码后，使一根行地址选择线和一根列地址选择线有效。行地址选择线选中的某一行中的64个存储单元电路同时进行读写操作。列地址选择线用于选择控制64个多路转接开关中的一个，即表示选中一列，每个多路转接开关由两个MOS管组成，分别控制两条位线。选中的那一个多路转接开关的两个MOS管呈现“开”状态，使这一列的位线与读/写电路接通；其余63个没被选中的多路转接开关的两个MOS管则呈现“关”状态，使其余63列的位线与读/写电路断开。 这种对接收到的存储单元地址仅进行一个方向译码的方式，称为单译码方式或一维译码方式。在这种结构的存储器芯片中，所有存储单元的相同的位组成一列，一列中所有存储单元电路的两根位线分别连在一起，并使用同一个读/写放大电路。读/写放大电路与双向数据线相连接。图中所示的芯片有两根控制线，即读/写控制信号线R/W和片选控制信号线CS。当CS为低电平时，选中芯片工作；而当CS为高电平时，芯片不被选中。每当存储器芯片接收到某个存储单元的地址并译码后，此时若CS为低电平，R/W为高电平，就要对选中芯片中的某个存储单元进行读出操作；同样的，当一CS为低电平而R／W也为低电平时