——金属半导体场效应晶体管FET-概述器件结构及作用概念.PDF

第九讲——金属半导体场效应晶体管 （FET ）-概述 l 器件结构及作用 概念和结构 一般结构 作用的基础；器件类型 输出特性 渐变沟道近似 速度饱和 速度饱和问题 速度饱和的特性 小信号等效模型 高频性能 l 制造工艺 加工难题： （异质结构对我们生活有益的地方） 1 ，半绝缘衬底；2 ，金属半导体场势垒栅；3，阈值控制；4 ，栅电阻； 5，内阻和漏电阻 典型结果 1 ，外延层台式晶体管；2 ，质子隔离；3，n+/n 外延层和凹陷；4 ， 向SI-GaAs 中的直接注入 BJT/FET 比较 BJT/FET 比较（续） 那好，但是在势垒的控制上有更多的不同 BJT FET 载流子 基极中的少数载流子 沟道中的多数载流子 流动机理 基极中的扩散 沟道中的漂移 势垒控制 与基极直接接触 门电路元件导致的改变 电流的机理，少数载流子扩散和多数载流子漂移，可能是最重要的不同。 FET 机理——金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET ）和结型场效应晶体管 （JFET ）/ 金属半导体场效应晶体管 （MESFET ） 结型场效应晶体管 （JFET ） 对栅源结施加反向偏压会增加栅极耗尽层宽度，并限制源极和漏极之间的n 型导带。 JFET （续） 工作区： a，夹断以下的线性区 VP VGS0,VDS 小 b ，接近夹断的线性区 VP VGS0, VDS 接近(VGS –VP ) c ，夹断区 VP VGS0, VDS (VGS –VP ) d ，夹断区 VGS VP 0 金属半导体场效应晶体管 （MESFET ） 其作用与JFET 的很相似。P-n 结栅极被肖特基势垒代替，并且低接触和 P-n 结被 消除，由于轻微掺杂的p 型衬底被半绝缘衬底代替。 MESFET 的电流- 电压特性 我们研究两种电流，iG 和iD ，试图找出它们关于两种电压，vGS 和vDS 的函数关系： iG （vGS ，vDS ）和iD （v GS ，vDS ） 如果把模型中的漏源电压限制在大于零，把栅源电压限制在小于肖特基二极管的开 启电压，我们就可以认为栅极电流可以忽略，并且iG˜0 。 iD （vGS ，vDS ），如果vGS ≦Von，并且vDS ≧0 我们的主要问题是找到漏极电流iD 的表达式。漏极电流的路径是通过沟道到源极， 我们用渐变沟道近似对其建模。 MESFET 的电流- 电压特性 我们用来描述漏极电流- 电压的模型是渐变沟道近似。在这个模型中，我们假设沟 道中的电流全部是在y 方向，中止于栅极的电场线完全是垂直的。 渐变沟道近似： 在沟道上的电场线是严格垂直的，电流是严格水平的 MESFET 的电流- 电压特性：渐变沟道近似 如果渐变沟道近似是成立的，我们可以解两个独立的一维问题： 1 ，水平（x ）方向上的静电问题，确定： 沟道中y 方向上任意点上的流动电荷面密度 2 ，y 方向上的漂移问题，目的是找到沿着沟道的电压降和电流的关系。将这个关 系的表达式从y=0 到y=L 进行积分，就可以得到描述漏极电流和栅极及漏极电压的最 终表达