AlGaAs量子级联激光器JournalofSemiconductors.PDF

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 GaAs/ Al GaAs 量子级联激光器 刘俊岐 　路秀真 　郭 　瑜 　刘峰奇 　王占国 ( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室 , 北京 　100083) μ μ 摘要 : 利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9 m 的 GaA s/ Al045 Ga055 A s 量子级联激光器. 条宽 35 m ,腔长 2mm 的器件准连续激射温度最高达 120 K ,81K 下未经收集效率修正的峰值功率超过 70mW . 关键词 : 量子级联激光器 ; 分子束外延 ; 有源区; 注入区 PACC : 6855 ; 4255P 　　　EEACC : 4320J ; 2520D 中图分类号 : TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 1 　引言 2 　材料生长与性能表征 近年来 , GaA s/ Al GaA s 成为继 In P/ In GaA s/ 实验样品是基于通常的三耦合量子阱有源区结 InAlA s 之后制作量子级联激光器[ 1 ] 最具吸引力的 构 ,类似于文献 [ 3 ] . 材料体系选择为 GaA s/ Al045 材料体系. 这主要来源于三个方面 : ( 1) GaA s 作为 Ga055 A s. 具体的生长层次见图 1. 图 2 为计算所得 继 Si 之后的半导体材料 ,处理工艺相当成熟 ,并且 的工作电压下波导核的导带结构及相应波函数模的 由于 GaA s/ Alx Ga1 - x A s 材料体系在宽成分范围内 平方. 波导核的具体结构见图2 注释部分. 所有的层 的晶格匹配特点 ,使得 GaA s 基量子级联激光器在 通过分子束外延单生长步骤在 n 型掺杂的 GaA s 衬 器件设计方面具有独特的灵活性 ; (2) 易于获得无铝 底上完成. 高掺杂的 GaA s 波导层用于降低平面光 [2 ] μ 的低损耗波导 ; (3) 能够在远红外范围获得粒子数 学限制所必需的折射系数. 插入的 375 m 低掺杂 反转 ,在 T Hz 量子级联激光器研制方面扮演着重要 (4 ×1016 cm - 3 ) GaA s 层用来减小光学模与 n + + 层的 角色. 尽管具有以上的优点 , 目前 GaA s/ Al GaA s 量 交叠系数 ,从而避免过高的波导损失[2 ] . 为了防止注 子级联激光器的性能还远不如 In P/ In GaA s/ InA