利用非平衡磁控溅镀法溅渡(TiZr)N多元薄膜之研究Studyof-YOKE.PDFVIP

利用非平衡磁控濺鍍法濺渡(Ti, Zr)N多元薄膜之研究 Study of (Ti,Zr)N multi-element coatings by using the unbalanced magnetron sputtering 傅兆章 * 楊玉森 * 賴漢民 * TsowChang Fu Yusen Young HanMin Lai 摘要 and the results show as following： 本研究利用田口氏實驗計劃法L 4 9(3 ) ，純 1. The hardness of (Ti,Zr)N by microhardness 鈦及純鋯為靶材，以直流封閉式非平衡磁控濺 test can reach to 4500HV at target current 3A, 鍍 系 統 (DC Close Unbalanced Magnetron Argon flow rate 20 sccm, nitrogen flow rate Sputtering System)在高速鋼及矽晶片底材上被 30 sccm and bias voltage 45V. 覆(Ti,Zr)N鍍層。探討靶材電流、氬氣流量、 2. The adhesion of Critical Load by scratch test 氮氣流量及基板偏壓對鍍膜性質的影響。實驗 can reach to 78N at target current 4A, Argon 結果顯示： flow rate 20 sccm, nitrogen flow rate 30 sccm 1.在靶電流3A ，氬氣流量20sccm ，氮氣流量 and bias voltage 45V. 30sccm ，基板偏壓45V時，可得到(Ti,Zr)N 3. The wear depth of (Ti,Zr)N increase along 薄膜最高硬度4500HV 。 with the increase of target current; the 2.在靶電流4A ，氬氣流量20sccm ，氮氣流量 minimum wear depth of (Ti,Zr)N by α-step 30sccm ，基板偏壓45V時，可得到(Ti,Zr)N test can reach 1031nm at target current 3A, 薄膜最大附著力78N 。 Argon flow rate 30 sccm, nitrogen flow rate 3.鍍膜磨耗深度隨著靶電流的增加而增加； 30 sccm and bias voltage 60V. 在靶電流3A ，氬氣流量30sccm ，氮氣流量 4. As bias voltage increase from 30V to 60V, the 30sccm ，基板偏壓60V時，可得到(Ti,Zr)N prefer orientation of (Ti,Zr)N film change 薄膜最小的磨耗深度1031nm 。 from (200) to (111). 4.偏壓由30V增加至60V時，優選方向由(200) 轉變為(111) 。