底栅微晶硅薄膜晶体管JournalofSemiconductors.PDFVIP

第 27 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 7 2006 年 7 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2006 底栅微晶硅薄膜晶体管 1 1 1 1 1 1 2 1 , 李 　娟 　张晓丹 　刘建平 　赵淑云 　吴春亚 　孟志国 　张 　芳 　熊绍珍 ( 1 南开大学光电子研究所 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 , 天津 　30007 1) (2 科技部高技术研究发展中心, 北京 　100044) 摘要 : 对底栅微晶硅 TF T 的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论 , 发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有 ( ) 效途径. 同时又发现 , 以SiN x 为栅绝缘层的底栅 TF T ,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用 约 20 % . 沉积底 栅 TF T 的微晶硅有源层时, 必须计入该影响. 因此为了获得 良好的 IV 特性 , 选用的硅烷浓度不宜低于 3 % . 由硅 基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和 T F T 所得薄膜晶化体积比的对比, 可清晰证实 SiN x 对晶化的促进 作用. 关键词 : 微晶硅; 底栅薄膜晶体管; 起始层; 硅烷浓度; 晶化体积比 PACC : 7360 ; 7360 F ; 7360L 中图分类号 : TN 32 1+ 5 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 1 　引言 2 　微晶硅生长存在孵化层问题 因有机发光器件优异的自发光 、快速响应与宽 图 1 给出底栅微晶硅 TF T 的结构示意图. 由图 视角特色 , 自 1987 年 Ta n g 研制成功双层薄膜型 可知 ,源漏间的电流路径主要受栅绝缘层和交界面 [ 1 ] ( OL ED 以来 , 有源选址有机发光显示屏 A M 处微晶硅特性限制 ,因此 ,底栅结构的 TF T ,其性能 OL ED ) 无论是研究还是产业化 , 其发展均非常迅 除受界面态影响之外 ,更强烈地依赖于有源层微晶 速. 2005 年 5 月在美国波士顿召开的信息显示学会 ( ) 年会 SI D ’05 上韩国三星展示出尺寸可与 L CD 抗 ( ) 衡 的 20 英 寸 非 晶硅 薄 膜 晶体 管 aSi T F T A M OL ED 样机 , 其性能完全能与 A ML CD 媲美 , 有 望成为 L CD 有力 的竞争对手[ 2 ] . 但 是鉴于 aSi TF T 的不稳定性 , 尤其在用于 电流型驱动的 A M