宁永强半导体材料-第四章半导体材料制备.ppt

第四章 半导体材料制备 宁永强 4.1 体单晶生长 4.2 晶片加工 4.3 外延生长 4.4 非晶薄膜 4.5 纳米材料 生长技术 体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 ，半导体硅的单晶生长可以获得电子级（99.999999%）的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 新生单晶层的晶向取决于衬底，由衬底向外延伸而成，故称“外延层”。 4.1 体单晶生长方法 一、直拉法 温度在熔点附近、籽晶浸入熔体、一定速度提拉籽晶 最大生长速度、熔体中的对流、生长界面形状、各阶段生长条件的差异 磁控直拉法-----Si 连续生长法-----Si 液体覆盖直拉法-----GaAs，InP，GaP，GaSb，InAs 蒸汽控制直拉法-----GaAs，InP 熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化 ；注意事项：熔硅时间不易长； 2. 引晶 将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉，控制温度使熔体在籽晶上结晶。 掺杂 目的：使晶体具有一定电阻率 （比如： N/P型硅片 1-100 ?·cm） 分凝现象： 由于杂质在固体与液体中的溶解度不一样，杂质在固-液界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 分凝系数: , Cs 和 Cl分别是固体和液体界面附近的平衡掺杂浓度 一般情况下k01。 Bridgeman crystal growth 4.2 晶片加工 衬底制备包括： 整形、晶体定向、晶面标识、晶面加工 切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求的单晶薄片。切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片损耗占1/3。 2.磨片 目的：去除刀痕与凹凸不平、改善平整度、使硅片厚度一致； 磨料：硬度大于硅片硬度。 种类：Al2O3、SiC、ZrO、SiO2、MgO等 3.抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光 4.3 外延生长 外延生长技术对于半导体器件具有重要意义 在外延生长过程中，衬底起到籽晶的作用，外延层则保持了与衬底相同的晶体结构和晶向 如果衬底材料和外延层是同一种材料，称为同质外延 如果衬底材料和外延层不是同一种材料，称为异质外延 外延生长的优点 1. 外延生长中，外延层中的杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。单晶生长需要进行杂质掺杂。 2. 外延生长可以选择性的进行生长，不同材料的外延生长，不同成分的外延生长，这对于器件的制备尤为重要。 3. 一些半导体材料目前只能用外延生长来制备，如GaN。 外延生长的技术 汽相外延 （Vapor Phase Epitaxy） 使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程称为汽相外延。 液相外延 （Liquid Phase Epitaxy） 采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延; 分子束外延 （Molecular Beam Epitaxy） 分子束外延是在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。 Liquid Phase Epitaxy (LPE)(GaAs and other III-V materials) Group III metal utilized as solvent for As Solvent cooled in contact with (GaAs) substrate. Becomes saturated with As. ? Nucleation of GaAs on substrate. Slider, containing different solutes, can grow precise compositions of material LPE The group III source materials consist of pure metal elements, such as gallium (Ga) and indium (In), contained in a small vessel. In the first zone, called the group III species synthesis zone, which is