直拉单晶工艺流程简介20113.ppt

压力化控制环说明 在整个拉晶过程中，晶体必须在一个低压且充满惰性气体的环境下生长。压力控制环就是为此创造一个合适的生长环境。先打开压力模块。然后输入设定值，单晶炉就会自动调节氩气流量和节流阀开度来达到压力和氩气流量都满足设定值。在全自动模式下（非手动进入）设定值由SOP参数决定。压力化模块在化料时打开并一直持续到拆炉取单晶前关闭。 在整个拉晶过程中，晶体必须在一个低压且充满惰性气体的环境下生长。压力控制环就是为此创造一个合适的生长环境。先打开压力模块。然后输入设定值，单晶炉就会自动调节氩气流量和节流阀开度来达到压力和氩气流量都满足设定值。 压力控制界面 氩气、真空控制 直拉法晶体生长流程 引晶 放肩 等径 收尾 装料 抽空 化料 稳温 引晶 放肩 转肩 检漏 压力化 粘渣 转肩 等径 停炉 收尾 装料前首先对石英坩埚质量进行检查 石英坩埚的检查中常见问题 1、坩埚内表面，不允许有开口的无光泽杂质点 2、壁厚中，不允许有直径2.5mm以上的的杂质点或闭口气泡 3、石英坩埚底部不允许,有直径大于30mm的凹坑和凸坑。 4、不允许有明显划痕，裂纹. 具体判断参照《石英坩埚检查标准》 具体操作参考《石英坩埚检查表》 原厚度 现厚度 装石墨坩埚前检查其质量 1、石墨坩埚有无裂纹及破损 2、石墨坩埚使用 炉数 3、石墨坩埚壁厚均匀 装料 注意点： 1，原料，石英坩埚为高纯材料，禁止用手触摸。接触料的一次性PE手套不要接触炉体，热场等。 2，合金放底部侧面，然后碎料铺底。 3，在石英坩埚底部弧度结束之前，不要贴边放太大的料块。 4，在装料到石英坩埚壁2/3以上，尽量保证原料与石英坩埚点接触。原料重心向内。 具体操作参照《装料作业指导书》 是否热场安装完毕？ 是否已装料？ 合金是否放入？ 籽晶是否安放妥当？ 夹头与缆绳是否处于一条直线上？ 炉盖是否与炉筒密封严实？ 检漏 检漏就是通过测量一定时间内炉内压力的增加速度来确定炉体是否漏气。 如果炉体密封不严就会导致外部空气进入炉体，从而使炉内环境恶化，此时高温熔硅极易和空气中的多种成分发生反应。从而无法生长单晶。 在自动检漏时，程序会自动关闭所有气动阀门使炉体处于密闭状态。 操作者需要注意的是，在检漏时不能关闭真空泵，且氩气屏幕被屏蔽，不可操作。 压力化 压力化的目的就是给单晶生长创造一个适宜的环境：低压力且有惰性气体保护的环境。 我们设定的压力是20Torr(远远低于标准大气压760Torr)； 我们使用的惰性气体是氩气。 压力化时程序会自动调整氩气流量和节流阀开度来保持一定的氩气流量和压力，此时氩气屏幕被屏蔽，不可操作。 化料 由于加热器在中部的位置温度最高，导致在中部的硅料会首先熔化，熔化后的硅料会沿着坩埚壁流到温度比较低的坩埚底部并二次结晶，结晶后的硅料体积膨胀（液态硅的密度小于固态硅） ，如果不及时升埚位使坩埚底部进入高温区，二次结晶的硅料就会越来越多的聚集在埚底，膨胀后撑裂石英坩埚。 所以我们要分步骤进行化料，及时升埚位。由于难以预计何时塌料（塌料后才能升埚位），我们现在实行半自动化料，即开始时进行自动化料，然后当功率升到100KW时退出到手动状态。 化料时，要注意观察： 1、埚转是否正常 2、是否有打火现象 3、塌料并及时升埚位 稳温 籽晶与液面充分熔接 高温熔接低温引；拉速提起缓升温 稳温最高原则就是：温度一定要在相当长的时间内相当稳定。可以通过液面温度图像来确定是否可以进入下一阶段。 熔接的时候需要熔透，光圈要收进去，稍微降温开始引晶； 因热场大，温度反应慢，当拉速提到较高值时，就要开始升温， 为放肩做准备。细颈长度达到要求，且直径均匀拉速已降下，可开始降拉速放肩 粘渣 粘渣 确认粘渣牢固，打开关闭翻板阀要确认籽晶位置 具体操作参考《粘渣工艺规定》 稳温 引晶 稳温：将液面温度稳定在1450℃。标准加热器温度1300sp。 埚位要求：低于导流筒15-25mm 引晶目的：随着细颈生长，位错会向晶体表面移动，从而排除机械热冲击产生的位错。 引晶的过程就是通过调节拉速和温度使细颈保持均匀且直径大小合适。 引晶要求：直径4.5-5.5mm，外表均匀，持续拉速控制在150-250mm/hr间，点拉拉速控制在450mm内，长度大于1.5个晶体直径。 晶种 接触液面时产生的位错线 缩颈排除位错示意图 放肩 放肩：适当降低温度与拉速，使晶体慢慢 放大至目标直径大小。 分析影响肩部生长的因素： 温度的影响 拉速的影响 转肩、等径 转肩:在扩肩直径快要达到目标直径时提高拉速，随着拉速的