第七章半导体器件基础.ppt

7.1 半导体的基本知识 电阻率介于10e-3～10e8Ω.cm，可变化区间大，介于金属（10e-6Ω.cm～10e-3Ω.cm）和绝缘体（10e8Ω.cm～10e20Ω.cm）之间 热敏性：纯净半导体负温度系数，掺杂半导体在一定温度区域出现正温度系数 光敏性：具有光敏性，用适当波长的光照射后，材料的电阻率会变化，即产生所谓光电导 掺杂性：半导体中存在着电子与空穴两种载流子 电路与电子学基础 第七章 半导体器件基础 7.1 半导体的基本知识 7.2 半导体二极管 7.3 半导体三极管 7.4 晶体管的主要参数 7.5 场效应晶体管 内电场E ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，促使少子漂移。 PN结合 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 少子飘移 补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E 多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，E 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 势垒 UO 硅 0.5V 锗 0.1V (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R P N 正偏 IF（多子扩散） IR（少子漂移） 反偏 反向饱和电流 反向击穿 热击穿——烧坏PN结 电击穿——可逆 反向击穿电压 根据理论分析： u 为PN结两端的电压降 i 为流过PN结的电流 IS 为反向饱和电流 UT =kT/q 称为温度的电压当量 其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23 q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K） 则有UT=26 mV。 当 u0 uUT时 当 u0 |u||U T |时 D U U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 稳压二极管 VB VS IR 0 V I 利用二极管的击穿性质工作； VVB时，反向电流很小； V=VB时，反向电流将很快增大，电流小于最大允许电流，二极管可以安全工作； 电流变化大，电压变化很小，达到稳压的目的。 稳压二极管的主要特性 稳压二极管的主要特性 1.3 变容二极管 利用PN结的电荷随电压非线性变化的特性工作； 正偏电压下扩散电容，反偏电压下势垒电容（常用）； 作用：1、由电压改变电抗（C）做信号开关和调制； 2、有非线性变化产生信号谐波； 3、对不同频率的信号进行参量放大或变频； 现有Si、Ge、GaAs等材料的上万种产品，电容量大约 pF～几十pF 。 A(+) K(-) PN结势垒电容 V Cj 0 可变电容： 随外加电压变化，耗尽层宽度变化， 电容变化。 平行板电容： S：面积，d：耗尽层宽度， (ε0) ε：(真空）介电常数。 C ~ V特性 杂质浓度指数分布： A：系数 m：杂质指数 解泊松方程求得空间电荷区宽度： V：外加电压 VD：接触电势差 变容二极管指数： 外加电压为 0 时的势垒电容： C ~ V特性 1/5 3 1/6 4 线性缓变结 1/3 1 超突变结 7 -13/7 1 -1 超缓变结 1/4 2 突变结 1/2 0 2 -3/2 PN结类型 势垒电容 n m C ~ V特性 变容二极管的优值 优质定义： Wc：存贮能量Cj Wr ：一个周期消耗能量 等效电路： Cj Ls Rs Rp Cp A B D Ls：串联电感 Rp：二极管电阻 Cp：管壳电容 Rs：串联电阻 角频率ω =2 π f 二极管电阻Rp ~M Ω 串联电阻Rs ~ Ω 二极管电容Cj ~ pf 低频 由Rp决定，反压V 增加，d 增加，Cj 减小，Q 下降。由Q =1得低频截止频率： 变容二极管的优值 电路与电子学基础