第5章金属-氧化物-半导体mos场效应管.ppt

5.1.3 P沟道MOSFET 但是为了能正常工作，PMOS管外加的vDS必须是负值，开启电压VT也是负值。 而实际的电流方向为流出漏极。 5.1.4 沟道长度调制效应 理想情况下，当MOSFET工作于饱和区时，漏极电流iD与漏源电压vDS无关。而实际MOS管在饱和区的输出特性曲线还应考虑vDS对沟道长度L的调制作用，当vGS固定，vDS增加时，iD 会有所增加。也就是说，输出特性的每根曲线会向上倾斜。因此，常用?对描述输出特性的公式进行修正。 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 5.1.4 沟道长度调制效应 L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 修正为： 以N沟道增强型MOS管为例，考虑到沟道调制效应后， 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 其中 5.1.5 MOSFET的主要参数 end 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 由FET组成的放大电路和BJT一样，要建立合适的静态工作点。但FET是电压控制器件，因此它需要合适的栅极-源极电压。 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 图中所示共源极放大电路采用的是N沟道增强型MOS管，图中VGGVT，为使场效应管工作于饱和区，VDD足够大。Rd的作用与共射极放大电路中Rc的作用相同，将漏极电流iD的变化转换成电压vDS的变化，从而实现电压放大。 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时， 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ??0时 栅极-源极间的电阻很大，可看成开路。 低频小信号模型 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 高频小信号模型 低频小信号模型 图中，Cgd、Cgs、Cgb分别是栅漏电容、栅源电容和栅极-衬底间电容，Cds是漏源电容。 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 end 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理