电子元件优劣判断.docVIP

1电阻 可调电阻，一般背后都有标识电阻值，1000欧＝1k 1000k＝1M，测试一般方法：调节电阻大小，用电阻档测试中间一脚与两边任意一脚其阻值是否变化均匀，是否不导通，短路～电阻的标识有2种，一种是文字标识，一种是色环标识色环标识代表的意思： 棕 红 澄 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 金 银分别代表： 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 0.1 0.01比较靠近电阻引脚一端的第一色环 代表上述的正常数。第2位也是正常数，第3位是0的个数，最后一环是误差率～可以不计。如，一3环电阻，红黄蓝 ，则阻值是 2 4 000000，误差环（第4环）为无色。其他的光，压，热敏电阻检测方法用模拟环境变化法，测试其好坏～一般是数字标识阻值。电容电容的标识和电阻类似，1F法＝1000UF维法=1000NF纳法电容的检测方法，电容有2种，一种是有机电容，一种是无机电容。有机电容（大水桶）一般是看电容是否顶部鼓胀或者破裂，而无机电容一般是击穿性故障。所以看表面是否有裂纹。如果不明显，可以用数字万用表的电容档测试。还有些问题是，某些有机电容轻微漏电，加热后这种情况会消失。 3电感检测方法有2种，一种是电阻测试法，对于绕组超过2个的，还有一种信号输入法！信号输入法，再初级绕组输入交流电，测试次级绕组的感应电压是否正常。L1/L2=V1/V2 L1,L2分别是初次级绕组，V1,V2分别是初次级所加的交流电压 二极管有P型，N型2种分类，或者是硅，锗2种分类单项导通性能，具体实现原理本征半导体常温下是不导电的，但加入一定数量的特殊材料，共价键的稳定遭到破坏，所以电子脱离原子核的缚束，进入游离状态，变成能导点的物质。通过一定工艺将2种参有杂质的本征半导体（p型导体和n型导体）组和在一起，p型导体中多空穴，而n型导体中多电子，在p型导体和n型导体的界面型成一层pn结（空穴和电子的结合体哦），当加负相电压，p加负，n加正的时候，PN结的厚度增加，PN结是不导电的，所以不导通！(正电多空穴，而负电多电子) 当加正向电压的时候，PN结变成耗尽层，所以导通！2极管的故障检测，用机械万用表比较准确。用10k档测试是否反相漏电，或者用1欧档测试是否短路。一般1欧档正向测试的为20欧到35欧为质量较好的2极管。10k档测反相电阻，硅管为不导通，而锗管允许有一点点的摆动。 三极管通俗点说是2个pn结。有3个极，B,C,E。有2种型号，N,P两种型号。有开关放大功能，具体实现功能：打个比方，N型三极管为例，B极是门卫，C，E极分别是门的两边。当给b极一个正向电压（B正，E负）的时候，门就打开一点，C极的人就往E极通过，如果门卫的人手越大的话，门打开的幅度就越大，那么C，E极流动的人口就越多。反之门关毕。 三极管的极性测试：用万用表测量。管型及基极的判别：用万用表1k挡红表笔接一管脚，黑表笔分别接另外两个管脚，测量两个电阻均较小(1M1左右)，则该晶体管为州P管，红表笔所接的管脚为基极。若测量的两个电阻均很大(2mkn以上)，则该管为N管，红表笔所接管脚为基极。集电极和发射极的判别：已知基极和管型后，用万用表的1k挡，红笔接基极，黑笔分别接另外两个管脚，测量个电阻值大一些，另一个电阻值小一些，则电阻值小一些的黑笔所接管脚为集电极，第三管脚则为发射极。晶体三极管优劣的判别。在判别集电极与发射极的测量中，如果发现州结的正向电阻为无穷大，说明该管内部断路．如果pn结反向电阻为o，或者电极与发射极之间的电阻为o，则说明该管击穿或短路，如果州结的正反向电阻相差不大，或者集电极与发射极间的电阻很小，该管失效锗管与硅管的判别。用万用表10k挡，分别测量发射极与集电极间的反向电阻和穿通电阻(黑表笔接发射极，红表笔接集电极时所测量的电阻值，称为穿透电阻)，若测量两个pn结的反向电阻和穿透电阻均在1M以上，并且两个则结正向电阻在5～10k之间，则该管为硅管。若测量两个PN结的反向电阻在1m以下，穿透电阻在100k以下，并且两个pn结的正向电阻在3k欧以下，则该管为锗管c高频管和低频管的判别。对于P型锗管来说，用万用表1k挡测量，若两个pn结正向电阻为2k左右，集电极反向电阻在500k以上，穿透电阻要25k以上，该管为高频管。若测量两个pn结正向电阻为1k左右．集电极反向电阻在500k以下，穿透电阻在25k以下时，则该管为低频管。补充一点，硅管导通电压在0.3v，而锗管导通电压在0.6v。这是在线检测电路晶闸管(可控硅]的判别晶闸管我们称之可控硅，应为它用的地方多半是高电压，所以用硅材料！有3个极性，g，控制极，a阳极 k阴极正常情况下，晶闸管的控制极(G)到阴极(K)是一个pn结，测量时负表笔接c，正表笔接K，有正导通电阻，正表笔再接阳极(A)时，电阻值应为无穷大，然后