沈阳工业大学《半导体物理》教学第三章.ppt

§3 半导体中载流子的统计分布 热平衡状态下，导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度有确定的统计平均值。 通过状态密度函数g(E)和分布函数fF(E)，计算载流子浓度 讨论 （1）电子浓度及费米能级与温度的关系；五个温区与掺杂浓度的关系。 （2）温度一定时，掺一种杂质情况下，载流子浓度的计算思路： a. 确定ni；b. 将ni与ND（或NA）比较；c. 若不属于过度区或本征激发区，则令其为强电离区；d. 验算杂质未电离的比率D-（或D+），若其值≤0.1，则结论正确；e. 若不满足强电离条件，则采用弱电离的方法计算，但也需验算，若D-（或D+）≥0.9，则结论正确；否则为中间电离区，并且已经可以估算出载流子浓度的大体区间。 （3）p型半导体的计算方法 空穴是为了处理价带中电子导电问题而引入的假想粒子。价带中每出现一个空状态（缺少一个电子）便相应引入一个空穴，并赋予其有效质量和电荷量刚好与该状态下电子的相反，即 （1）这样引入的假想粒子——空穴，其形成的假想电流刚好等于价带中的电子电流。因此在计算半导体电流时，虽然只计算空穴电流，但实际上算的是价带中电子的电流。 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 重点讨论半导体中同时含有施主和受主杂质时，载流子浓度及费米能级EF。 热平衡状态下的电中性条件： p0 + nD+ = n0 + pA- 利用该方程确定EF和n0、 p0 。 对于掺入不同类型的浅能级杂质，可先确定有效掺杂浓度，近似按照只掺一种类型杂质的方法确定EF和n0、 p0 。 §3.6 简并半导体 1、简并半导体的载流子浓度： 2、简并化条件： （1）EC - EF 2k0T 非简并 （2）0 EC – EF 2k0T 弱简并 （3）EC – EF ≤0 简 并 3、杂质带导电与能带边缘的延伸： 简并情况下，杂质浓度很高，它们之间相互作用使杂质能级分裂形成能带，其中电子可行成共有化运动，引起导电现象。 施主浓度进一步增加，可使杂质能级扩展，并进入导带中与导带相连，形成了新的简并导带。这种现象也可理解为导带的尾部伸入到禁带中，因此，称为能带边缘的延伸。此时，半导体的禁带宽度也相应减小了。 4、关于简并半导体的几点讨论 1、电子共有化运动 原子组成晶体后，由于原子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到另一个原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。 第一、第二、第三章小节 因为各原子中相似壳层上的电子才有相同的能量，电子只能在相似壳层中转移。 2、能带产生的原因 定性理论（物理概念）：晶体中原子之间的相互作用，使能级分裂形成能带。 定量理论（量子力学）：电子在周期场中运动，在绝热近似和单电子近似基础上求解薛定谔方程发现其能量不连续。将允许电子存在的能量区间称为允带，禁止电子出现的能量区间称为禁带，统称为能带。 3、用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性 固体按其导电性分为导体、半导体、绝缘体，其机理可以根据电子填充能带的情况来说明。 固体能够导电，是固体中的电子在外场的作用下定向运动的结果。由于电场力对电子的加速作用，使电子的运动速度和能量都发生了变化。换言之，即电子与外电场间发生能量交换。从能带论来看，电子的能量变化，就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去。对于满带，其中的能级已被电子所占满，在外电场作用下，满带中的电子并不形成电流，对导电没有贡献，通常原子中的内层电子都是占据满带中的能级，因而内层电子对导电没有贡献。对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，起导电作用，常称这种能带为导带。金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体。 半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下并不导电，但是这只是绝对温度为零时的情况。当外界条件发生变化时，例如温度升高或有光照时，满带中有少量电子可能被激发到上面的看到中去，使能带底部附近有了少量电子，因而在外电场作用下，这些电子将参与导电；同时，满带中由于少了一些电子，在满带顶部附近出现了一些空的量子状态，满带变成了部分占满的能带，在外电场作用下，仍留在满带中的电子也能够起导电作用，满带电子的这种导电作用等效于把这些空