[理学]第二章 基本放大电路.ppt

3.构成复合管时注意事项 　（1）. 前后两个三极管连接关系上，应保证前级输　　　　　出电流与后级输入电流实际方向一致。 　（2）. 外加电压的极性应保证前后两个管子均为发　　　　　射结正偏，集电结反偏，使管子工作在放大区。 复合管的接法 T1 b T2 e c ? ? ? ? T2 T1 b e c (a) NPN 型 (b) PNP 型 图 2.6.1　复合管 (c) NPN 型 ? ? c T1 b T2 e (d) PNP 型 ? ? T2 T1 b e c 图 2.6.1　复合管 结 论 1. 两个同类型的三极管组成复合管，其类型与原来相同。复　合管的 ? ? ?1 ?2，复合管的rbe = rbe1 +（1+?1 ） rbe2 。 2. 两个不同类型的三极管组成复合管，其类型与前级三极管　相同。复合管的 ? ? ?1 ?2，复合管的 rbe = rbe1 +（1+?1 ） rbe2 。 3. 在集成运放中，复合管不仅用于中间级，也常用于输入级　和输出级。 优点 可以获得很高的电流放大系数 ? ； 提高中间级的输入电阻； 提高了集成运放总的电压放大倍数。 二、复合管共射放大电路 图2.6.2　阻容耦合复合管共射放大电路 电压放大倍数与没用复合管时相当，但输入电阻大大增加,增强了电流放大能力。 三、复合管共集放大电路 图2.6.3　阻容耦合复合管共集放大电路 复合管共集放大电路使输入电阻大大增加，输出电阻大大减小。 2.6.2　共射－共基放大电路 特点：电路的输入电阻较大，具有一定的电　　　压放大能力，有较宽的通频带。 图2.6.4　共射－共基放大电路的交流通路 2.6.3　共集－共基放大电路 图2.6.5　共集－共基放大电路的交流通路 输入电阻较大，具有一定的电压放大能力，有较宽的通频带。 2.7　场效应管放大电路 场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。 2.7.1　场效应管放大电路的三种接法 （以N沟道结型场效应管为例） 图2.7.1场效应管放大电路的三种接法 （a）共源电路　　（b）共漏电路　　（c）共栅电路 2.7.2场效应管放大电路的静态工作点的设置方法 图 2.7.2　基本共源放大电路 VDD + uO ? iD T ~ + ? uI VGG RG S D G RD 与双极型三极管对应关系 b ? G , e ? S , c ? D 为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： 　N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。 (UT：开启电压) 一、基本共源放大电路 静态分析－－ UGSQ 、 IDQ　 UDSQ VDD + uO ? iD T ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 2.7.2　基本共源放大电路 两种方法 近似估算法 图解法 (一) 近似估算法 　　MOS 管栅极电流为零，当 uI = 0 时 UGSQ = VGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 (二) 图解法 图 2.7.3　图解法求基本共源放大电路的 静态工作点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 Q点： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQ UGSQ = UDSQ = 已知UP 或 UGS（Off)　 VDD - IDQ (Rd + R ) - -IDQR 可解出Q点的UGS Q、 IDQ 、 UDSQ 如知道FET的特性曲线，也可采用图解法。 二、自给偏压电路 图2.7.4(a) JFET自给偏压共源电路 耗尽型MOS管自给偏压共源电路的分析方法相同。 IDQ 三、分压式偏置电路 图2.7.5分压式偏置电路 + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + (一)Q点近似估算法 根据输入回路列方程 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) 将IDQ 代入，求出UDSQ 简化的H参数等效模型 简化的BJT的 H参数模型为 ? rce很大，约为100k?。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路 ? ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 ? 电流方向与ib的方向是关联的。 H参数的确定 ? ? 一般用测试仪测出； ? rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ ? ) re 则 而 (T=300K)