线性电子电路第3章场效应管.ppt

　　场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 3.1.5　MOS 管电路分析方法 　　场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 MOS 管截止模式判断方法 假定 MOS 管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式(需重新计算 Q 点) N 沟道管：VGS VGS(th) P 沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和(放大)模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路 VGS与 ID 之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： 例 1　已知 ?nCOXW/(2l) = 0.25 mA/V2，VGS(th)= 2 V，求 ID 。 解： 假设 T 工作在放大模式 VDD (+20 V) 1.2 M? 4 k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8 M? 10 k? G ID 代入已知条件解上述方程组得： ID = 1 mA VGS = 4 V 及 ID = 2.25 mA VGS = -1 V (舍去) VDS