外延mocvd基本原理及led各层结构.pptx

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2018-03-05 发布于广东
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外延mocvd基本原理及led各层结构

MOCVD基本原理及LED各层结构;1.何谓MOCVD:;2. MOCVD系統 ;2.1反应室（Reactor/Chamber）:;2.2气体控制及混合系统(Gas handling mixing system):;;2.4控制+量测系统:;2;美国Veeco是世界上少数几家，制作GaN MOCVD的设备商。它并购了eMcore的TurboDisc 部门后，拥有开始有制作设备的技术。目前安徽厂主力设备为K465i，每炉次产能45片。;Turbo Disk技术，主要是利用高速选转(800~2000rpm)来制造出线性层流，达到外延成长的目的。;Process Gases Inlet;Thermo Bath、MFC、PC、Manual Valves;RealTemp (inner-middle-outer);Power Units;4. 操作介面 Nexus MOCVD Control Software;4. 操作介面 Nexus MOCVD Control Software;RealTemp200 测温系统 Tw:芯片表面温度 Tc : Carrier温度 Rw:芯片表面反射率;Aixtron的Reactor Design有两项主要技术 1.Planetary (Aixtron自行开发的水平气流+行星转盘);LED各层结构;I.1;I.1;Sapphire ;I.1;;I.1; ;I.1;I.1;I.1;I.1;I.1;Sapphire ~430um;Thanks