门极驱动电路设计方法-富士IGBT.PDFVIP

Quality is our message 第 7 章 门极驱动电路设计方法 目 录 1. 驱动条件和主要特性的关系7-2 2. 关于驱动电流 7-3 3. 空载时间的设定7-5 4. 驱动电路的具体实例 7-6 5. 驱动电路设计、实际安装的注意事项 7-7 本章中对 IGBT 的门极驱动电路的设计手法进行说明。 7-1 第 7 章 门极驱动电路设计方法 1 驱动条件和主要特性的关系 表 7-1 表述了 IGBT 的驱动条件与主要特性的关系。由于 IGBT 的主要特性是随 VGE 、RG 变化的，需要配 合装置的设计目标进行设定。 表 7-1 IGBT 的驱动条件与主要特性 主要特性 +VGE 上升 –VGE 上升 RG 上升 VCE(sat) 减小 － － ton 减小 － 增加 Eon toff － 减小 增加 Eoff 开通浪涌电压 增加 － 减小 关断浪涌电压 － 增加 减小 dv/dt 误触发 增加 减小 减小 电流限制值 增加 － 减小 短路最大耐受量 降低 － 增加 (减小)*1 放射杂波 增加 － 减小 *1 ： 在 N 系列 IGBT 中内置有过电流限制电路。这种情况下，对于 R 的上升，短路最 G 大耐受量也增加。 1.1 门极正偏压电压：+VGE （导通期间） 门极正偏压电压+VGE 的推荐值为+15V，下面说明+VGE 设计时应注意的事项。 (1) 请将+VGE 设计在 G-E 间最大额定电压VGES=±20V max.的范围内。 (2) 电源电压的变动推荐在±10%范围内。 (3) 导通期间的 C-E 间饱和电压（V ）随+V 变化，+V 越高饱和电压越低。 CE （sat） GE GE (4) +VGE 越高，开通交换时的时间和损耗越小。 (5) +VGE 越高，开通时（FWD 反向恢复时）的对置支路越容易产生浪涌电压。 (6) 即使是在 IGBT 断开的时间段内，由于 FWD 的反向恢复时的 dv/dt 会发生误动作，形成脉冲状的 集电极电流，从而产生不必要的发热。这种现象被称为 dv/dt 误触发，+VGE 越高越容易发生。 (7) 在 U 系列的 IGBT 的情