关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法.docVIP

关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法 　　摘 要: IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案。 　　关键词:IGBT;TDC-GP2;导通延迟时间;测量 　　中图分类号:TN710文献标识码:A 　　文章编号:1004-373X(2009)20-017-03 　　 　　Measurement of Interval for IGBT′s Close Delay Time 　　XIAO Guangda1,2,LI Haitao2,MA Xuelin1,YAN Zhongming1,DONG Liang1,WANG Yu1 　　(1.Superconductivity R?}D Center,Southwest Jiaotong University,Chengdu,610031,China; 　　2.MOE Key Lab of Magler Technology and Vehicle,Southwest Jiaotong University,Chengdu,610031,China) 　　Abstract:IGBT as an important role in the high power electronics field,because of its excellent performance enables such as high input impedance,rapid pace of on-off,small voltage losing of close,there is some difficulty to measure the interval for IGBT′s delay time.TDC-GP2 that is a CMOS chip for measuring a brief interval,and a system to measure the brief interval that about the IGBT′s close delay time are introduced. 　　Keywords:IGBT;TDC-GP2;close delay time;measurement 　　 　　0 引 言 　　绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR和MOSFET的一种新型复合器件[1],自问世以来就以输入阻抗高,开关速度快,通态压降低,阻断电压高,承受电流大等优点成为当今功率半导体器件中的主流开关器件,并广泛应用于多领域的工程实践当中。目前,IGBT的导通延迟时间可以达到几百纳秒,甚至更低。但在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中,需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。本文从精简结构,同时兼顾精度的角度出发,提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统,用于测量IGBT的导通延迟时间,实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。 　　1 TDC-GP2的特性分析 　　TDC-GP2是德国ACAM公司继TDC-GP1之后新推出的一款高精度时间间隔测量芯片[2]。与前代芯片相比,具有更高的精度、更小的封装和更低的价格,更适合于低成本工业应用领域。TDC-GP2内部结构,如图1所示。 　　图1 时间测量芯片TDC-GP2内部结构图 　　该系统主要由脉冲产生器、数据处理单元、时间数字转换器、温度测量单元、时钟控制单元、配置寄存器以及与单片机相接的SPI接口组成。在实际应用中,由于TDC-GP2的功耗很低,使得TDC-GP2的输入/输出电压(工作电压)为1.8～5.5 V,核心电压为1.8～3.6 V,所以可以采用电池供电,使用方便。同时单片机由4线的SPI接口相连,可以把TDC-GP2作为单片机的一个外围设备来操作。通过内部ALU单元计算出时间间隔,并将结果送入结果寄存器保存起来。通过对TDC-GP2内部寄存器的设置,可以多次采样并将结果保存。 　　TDC-GP2是基于内部的模拟电路测量“传输延时”来进行的,是以信号通过内部门电路的传播延迟来进行高精度时间间隔测量的。TDC-GP2时间间隔测量原理如图2所示。 　　图2 TDC-GP2时间间隔测量原理 　　START信号与STOP信号之间的时间间隔由非门的个数决定,而非门的传输时间可以由集成电路工艺精确的确定。同时,由于门电路的传输