[工学]集成工艺中的无源元件_电感的集成.pdf

《射频集成电路设计基础》讲义 集成电路中的无源元件 引言 螺旋电感值的计算 一些基本概念 电感模型 电阻 影响Q 值的因素 电容 电感的其他集成方式 电感概述 参考文献 东南大学射频与光电集成电路研究所 陈志恒, Sep-23, 2002 1 of 30 引言 • 衡量一种工艺是否适合于射频电路的集成不仅要看它能否提供高频性能 优良的晶体管，还要看它能否提供高品质的无源元件 – 与分立元件电路设计相反，集成电路中晶体管随手可得而且所占面积越 来越小，而无源元件却因占用面积较大，代价昂贵。并且由于要兼顾整 体性能，尤其是晶体管的性能，集成无源元件的品质常常差强人意，因 此无源元件的大量使用对集成显然是不利 – 随着工艺的发展，当晶体管性能已经获得大幅度的提高，无源元件逐步 成为电路集成的瓶颈时，改进工艺就显得有必要。例如CMOS 工艺， 目前已经出现所谓的RF CMOS 和混合信号(Mixed-Signal) CMOS，它们 与传统CMOS 工艺的最显著区别就在于提供了较高品质的无源元件 • 集成无源元件的选择依据：成本( 占用面积小) 、品质因数、工作频率、 寄生参数、容差(Tolerance)、匹配(Matching)、稳定性( 温度系数) 、线 性度( 是否随电压变化) 等 射频集成电路设计基础 集成电路中的无源元件 引言 ↵ 2 of 30 一些基本概念 • 集成电路中的 “层” (Layer) – 可以认为集成电路是在一块基座上不同几何尺寸的不同材料的堆砌 » 基座：衬底(Substrate)，机械支撑作用，构成元件的基本材料 » 半导体：不同掺杂浓度的半导体材料，主要用于形成有源器件 » 绝缘层：二氧化硅等，用作隔离和介质 » 连接层：金属、多晶硅，器件之间的连接；可构成电阻、电容、电感 – 硅(CMOS) 工艺中的物理层 » P 型或N 型硅衬底，典型电阻率约10Ω-cm，数百微米厚 » P 阱、N 阱(P-well, N-well)，方块电阻1kΩ，制作晶体管的基础，阱与 阱之间，阱与衬底之间具有隔离作用 » P 型和N 型扩散层(P-diff, N-diff)，MOS 管的源、漏极 » 多晶硅(Poly) » 金属(M1, M2, ...) » 接触孔和过孔(Contacts and Vias) 射频集成电路设计基础 集成电路中的无源元件 一些基本概念 ↵ 3 of 30 – 砷化镓金属- 半导体场效应管(GaAs MESFET) 工艺中的物理层 » 半绝缘砷化镓衬底 » N 型砷化镓半导体 » 金属栅和金属连接层 » 欧姆接触和过孔 射频集成电路设计基础 集成电路中的无源元件 一些基本概念 ↵