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《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 本次课内容（2 学时） 绪论 第一章 半导体二极管及其应用 §1-1 半导体基本知识 1-1-1 什么是半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质叫半导体。 常常作为半导体材料的有硅（Si ）、锗（Ge ）、砷化镓(GaAs) 及一些硫化物和氧化物等。 图 1 硅和锗晶体的共价键结构 1-1-2 半导体的共价键结构 锗和硅是常用的半导体材料，外层价电子是 4 个。纯净的半导体叫本征半导体。硅晶 体原子排列如图 1。硅原子组成晶体后，分属于各个原子的价电子受到相邻原子的影响而 使价电子为两个原子所共有，这样组合的化学键叫共价键。在绝对零度 （约-273.15℃）和 无外界激发时，半导体由于没有可以参与导电的带电载流子存在而不导电。如在常温下（如 25 ℃）或受光照时，将有少数价电子获得足够的能量 （热能或光能）挣脱共价键的束缚而 成为自由电子，这种现象称为本征激发或热激发。半导体的温度上升其导电能力增加，这 就是半导体的热敏性。 共价键中的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，在原来的位置上就留下了一个 空位，称之为空穴。半导体有电流流过时，其电流有两部分组成，即自由电子定向移动形 成的电流和价电子填补空位（空穴的定向移动）所形成的电流。 在本征半导体中，电子和空穴成对出现，称之为电子空穴对。自由电子在运动过程中 会填补空穴而使电子和空穴消失的过程叫复合。对硅晶体，温度每升高 8℃，本征载流子 的浓度约增加一倍；对于锗晶体，温度每升高 12℃，本 征载流子的浓度约增加一倍。 1-1-3 杂质半导体 一、N 型半导体 在本征半导体硅中掺入少量的五价元素，如磷（P ） 或砷（As ）等。因磷原子外层有五个价电子，其中四个 图2 N 型半导体的共价键结构 参考教材：《模拟电子技术及应用》（第二版） 编者：赵玉铃 徐柳娟 浙江水利水电专科学校 1 《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 与相邻硅原子的价电子组成四对共价键后，还多余一个价电子。由于该价电子不受共价健 的束缚，所以只要较少的能量就能挣脱磷原子核的吸引而成为自由电子，如图 2 。由于磷 原子给出了一个多余的电子，故称为施主杂质。磷原子在给出一个电子后，本身成为一个 带正电的离子，但产生自由电子的同时并不产生新的空穴。除了磷原子给出的自由电子外， 半导体本身也会由于本征激发而产生电子空穴对，但由于增加了杂质原子给出的多余电 子，使半导体中的自由电子数多于空穴数，所以称为电子型半导体，也叫做N 型半导体， 自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子）。 二、P 型半导体 在本征半导体硅中掺入少量的三价元素，如硼（B ） 或铟（In ）等，因硼原子外层只有三个价电子，它与相邻 硅原子组成共价键时，因缺少一个电子而在晶体中产生一 个空位，如图 3 。由于硼原子在硅半导体中能接受电子， 故称为受主杂质。硼原子在接受电子后，本身成为一个带 图3 P 型半导体的共价键结构 负电的离子，但产生空穴的同时并不产生新的 自由电子， 半导体中的空穴数多于自由电子数，称为空穴型半导体，也叫P 型半导体，空穴为多子， 自由电子为少子。 杂质半导体中多子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少子浓度则主要取决于本征激发， 即与温度的关系非常密切。但要注意：在杂质半导体中，正负电荷的数量相等，故仍保持 电中性。 §1-2 PN 结 具有特殊性质的薄层，叫 PN 结。 1-2-1 PＮ结的形成 当 P 型半导体和 N 型半导体刚结合在一起 图4 PN 结结构示意图 时，在交界面附近存在着载流子的浓度差，这势 必造成