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第0章 绪 论 § 0.1 数字电子技术与模拟电子技术 §0.2 模拟电子技术应用领域 汽车电子 Automobile electronics 通讯电子 Communication ~ 消费电子 Consumer ~ 工业电子 Industrial ~ 机电一体化 Mechtronics ~ 医用电子 Medical ~ 办公电子 Office ~ 应用举例 §0.3 课程特点 技术基础课（专业基础课） 实践性强 讨论共性概念问题 基本分析方法、分析原则 为后续课程打基础 本课程的目的 了解、掌握常用半导体器件、集成电路的原理及特性 掌握模拟电路的分析、设计技巧 初步了解模拟电子技术的应用 为后续专业课程的学习及深入研究打下坚实的基础 参考教材 1. Donald A. Neamen 《Electronic Circuit Analysis and Design》 电子电路分析与设计，Second Edition 清华大学出版社 Muhammad H. Rasid 《Microelectronic Circuit: Analysis and Dsign》 微电子电路分析与设计， 科学出版社 参考教材 Chapter 1 常用半导体器件 （复习） PN结的电流方程 PN结的电容效应 扩散电容 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的等效电路 二、二极管的微变等效电路 三、高频模型 二、稳压管的主要参数 稳压管应用例题 限幅电路 例3： 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 例4：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 半导体三极管图片 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 二、输出特性曲线 3. 饱和区： uBE Uon , uCE uBE 临界状态： uCE=uBE 1.3.4 晶体管的主要参数 二、交流参数 三、极限参数 3. 极间反向击穿电压 (Breakdown Voltage) 安全工作区 SOA (Safe Operation Area） PCM、 ICM和V(BR)CEO限定 § 1.4 Field Effect Transistor (场效应晶体管） (Unipolar Junction Transistor) 1.4.2 绝缘栅型场效应管 一、N沟道增强型 MOSFET (二)、特性曲线 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 1.4.3 场效应晶体管的参数 1. 开启电压VGS(th) 增强型场效应管参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 4. 输入电阻RGS(DC) 栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道、 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 、P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道、 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆