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§2.3 集成电路工艺模拟的数值计算 §2.3 集成电路工艺模拟的数值计算 2.3.1 数值计算概述 2.3.1 数值计算概述 2.3.2 空间离散化—栅格划分 2.3.2 空间离散化—栅格划分 2.3.3 驻留界面热加工过程的数值计算 2.3.3 驻留界面热加工过程的数值计算 2.3.4 界面移动热加工过程的数值计算 2.3.4 界面移动热加工过程的数值计算 2.3.1 数值计算概述 2.3.1 数值计算概述 集成电路工艺分为低温工艺和高温工艺两类。 低温工艺的加工过程（如离子注入）所引起的结构和掺杂状 况的改变，可以通过模型公式的代值直接获得，无需求解微分方 程。因此，对低温工艺加工过程的模拟计算这里不作讨论。 本节讨论的重点是高温过程的模拟计算，计算中涉及扩散方 程的数值求解以及对界面移动引起空间栅格改变的处理，这些都 是数值计算中很具特色的问题。 对高温加工过程做工艺模拟，就是根据工艺模型和描述氧化 扩散过程的基本方程，利用数值技术，定量地计算出硅片结构和 杂质分布的近似结果。 热加工过程中，杂质的空间分布将随时间改变。下面给出 的例子可以示意说明这个变化过程： 在考察的初始时刻，t = t ，硼杂质分布是在能量为65KeV、 0 剂量为5×1012cm-2 的离子注入分布剖面。 从t =t0 时刻开始的热加工过程是：先经过1000°C，10min 的 干氧氧化，再经过1000°C，73min 的湿氧氧化。 在热加工过程中，结构和掺杂都发生了变化：硅表面生长了 SiO 层，离子注入的硼在SiO /Si 界面处由于有杂质分凝界面 2 2 流，使得约有65% 硼杂质分布在SiO2 之中，分布在硅中的硼杂 质也因为高温推进而向硅体内深入。 氧化推进过程中杂质硼的空间分布随时间变化的示意图 此例中，初始条件的确定比较简单：依据硼的离子注入模 型（如Pearson IV ）和注入能量、剂量，不难计算出t = t0 时杂 质的空间分布C(x) 。对高温过程数值计算的求解就是根据t = t0 时的初始分布和杂质连续性方程： dQ x( ,x 1 ) 2 [ −(F )x −(F )]x 2 1 dt 求解出不同时刻的杂质空间分布。 上式中略去了杂质扩散的产生损失项，因为对产生损失效 应的处理可以包括在有效的扩散系数之中。Q (x , x ) 是一维区 1 2 间[x , x ] 中的杂质总量，有： 1 2 x2 Q x ( x , ) C x (dx) 1 2 ∫x1 当Δx ( 即x2 - x 1 ) 很小时，有： ( ) ( ) + C x C x ( , ) 1 2 Q x x Δx 1 2 2