流子的漂移扩散爱因斯坦关系式.pptVIP

若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同 时又有外加电场的作用，载流子要同时做 主讲人 半导体总的电流 扩散运动 漂移运动 扩散电流 漂移电流 1、载流子的漂移运动 外加电场，电子漂移电流密度为 (5-109) 空穴漂移电流密度为 漂移电流：电子、空穴电流都与电流方向一致 除了平衡载流子以外，非平衡载流子对漂移电流有贡献。 (5-110) 图示n型的均匀半导体，x方向加一均匀电场，表面处光注入非平衡载流子。 少数载流子空穴电流密度为 电子电流密度为 (5-111) (5-112) 通过对非平衡载流子的漂移运动和扩散运动的讨论，明显看出，迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度物理量，而扩散系数反映存在浓度梯度时载流子运动难易程度。 ？ 扩散系数 迁移率 2、爱因斯坦关系(n型半导体为例) 2.1 浓度梯度引起内建电场 热平衡状态 掺杂不均匀的n型半导体 n0(x)梯度引起扩散电流 电中性条件被破坏，引起 内建电场 考虑漂移电流 n=n0(x) (5-113) (5-114) (5-116)