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ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究
第 卷 第 期 ( )
56 4 厦门大学学报 自然科学版 Vol.56 No.4
年 月 ( )
2017 7 JournalofXiamenUniversit NaturalScience Jul.2017
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: /
doi10.6043 .issn.0438-0479.201611009
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ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究
,
12 2*
,
林传金 朱梓忠
( , ; , )
闽南师范大学物理与信息工程学院 福建 漳州 厦门大学物理科学与技术学院 福建 厦门
1. 3630002. 361005
摘要: , 、
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法 研究了ZnO在富氧和富锌条件下氧的单空位 双空位和三空位缺陷
: , , ,
的形成能 结果表明 在富氧和富锌条件下 随着氧空位浓度的增加 氧空位形成能变大 说明 中不容易产生多空位
. ZnO
; , ; ,
氧缺陷 随着氧空位浓度的增加 氧空位对应的吸收光谱红移 分散型氧双空位的形成能低于聚集型氧双空位 说明
, ; ,
ZnO中不容易产生氧空位聚集 由此可解释 ZnO的抗辐照能力 在富锌条件下 聚集型氧双空位的形成能大于分散型氧
,
三空位的形成能 说明在此条件下聚集型氧双空位更难形成.
关键词: ; ; ;
第一性原理计算 ZnO 氧空位 形成能
中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( )
O471.4 A 0438-0479201704-0486-06
, , ,
是直接带隙的半导体材料 在常温常压下 相同 在已有的理论研究中 通过构造 超晶胞对
ZnO . ZnO
, , ,
晶体结构为六角纤锌矿结构 禁带宽度为 3.4eV 自 单个氧空位的讨论比较多 对不同氧空位条件下 ZnO
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