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第五章 电流镜
第五章 电流镜
第五章 电流镜
提纲
提纲
1、基本电流镜
1、基本电流镜
2、共源共栅电流镜
2、共源共栅电流镜
3、有源电流镜
3、有源电流镜
★ 电流镜做负载的差分放大器
大信号特性
小信号特性
共模特性
1、基本电流镜
★ AIC 中经常需要电流源
★ 对电流源的期望
● 电流值能由设计者方便地设定在某一期
望值,并且电流值的偏差能被控制在一定
范围内
电流值往往会随工艺、电源、温度等变化而变化
● 电压裕度、电阻、电容、噪声等
★ 如何电路实现并可设、精确、稳定?
基于电阻分压的电流源
★ 电流值对工艺、电源、温度等变化
敏感
不同芯片阈值偏差可达100mV
μ、V 随温度变化
n TH
★输出电压范围
大于M1管的VOV 即可
★为了输出电压范围较大,VOV取典
型值200mV
若VTH 改变50mV,则IOUT改变44 %
评价:电流值无法精确、稳定,很难实用
基于基准电流的电流源-原理
★IREF
● 基准电流
●由专门的电路来产生,如带隙基准源等,是一个重要、活
跃的研究领域
●基准电流的电流值精确、稳定 (对电源电压、工艺偏差、
温度变化等不敏感)
★ 基于IREF ,“复制”产生所需各电流
●常用复制方法是先把IREF转换为电压,在由该电压转换
为电流
电流源的设计是基于对基准电流的“复制”;
电流源的设计是基于对基准电流的“复制”;
两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传
两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传
输相同的电流 (忽略沟道长度调制效应)。
输相同的电流 (忽略沟道长度调制效应)。
2010/11/4 基本电流镜 6
基本电流镜-等量复制
镜面
忽略了λ的影响 (会影响复制精度) Iout也可以不等于IREF
基本电流镜-比例复制
该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影
响;Iout与IREF 的比值由器件尺寸的比率决定。
设计者通过合理设计M1和M2管的尺寸比,即可获得期望的电流
若I 精准、稳定,合理设计M1管和M2管的尺寸和位置,使它们的V 、μ、C 等
REF TH n OX
工艺参数匹配度高、W/L 比值在一定精度内,则可获得一定精度且稳定的Iout
电流镜中晶体管的L通常设计为相同
横向扩散和场氧化层侵蚀会使
Leff ≠Ldrawn 、Weff ≠Wdrawn
VTH与L有关
结论:取L1=L2,便于获得期望的精确电流值
电流镜中晶体管的W 的取值方法
电流镜中晶体管的W 的取值方法
例子:
例子:
实际设计中,所有晶体管采用相同
实际设计中,所有晶体管采用相同
的栅长,以减小由于源漏区边缘扩
的栅
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