含N薄栅介质的电离辐照及退火特性.PDFVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 含 N 薄栅介质的电离辐照及退火特性 张国强　陆　妩　余学锋　郭　旗　任迪远　严荣良 ( 中国科学院新疆物理研究所　乌鲁木齐　830011) 60 摘要　 对含N 薄栅M O S 电容进行了 Co 辐照和 100℃恒温退火行为的分析研究, 结果表 明: 栅介质中 的引入, 能明显抑制辐射感生 界面态的产生, 减少初始固定正电荷和 N Si SiO 2 界面态, 减小辐照后界面陷阱的退火速率. 用一定模型解释了实验结果. : 7340 ; 　 : 2550 , 2560 PACC Q EEACC E R 1　引言 M O S 器件电路在电离辐射作用下, 由于在SiO 2 栅氧化层积累大量的氧化物正电荷, 在 2 界面感生界面态, 而影响器件电路的使用, 已成为当前微电路空间应用领域十分重 Si SiO 要的课题之一. 随着器件电路向短沟薄栅方向发展, 栅介质的热载流子损伤和击穿也成为影 响可靠性的主要因素. 由于热载流子损伤和电离辐射损伤具有等效性, 因此侧重研究抑制 M O S 栅介质电离辐射损伤的新方法, 对于保证微电路在空间和地面的可靠使用是非常重要 的. 1980 年, Ito 等人首先报道了 SiO 2 栅介质加入适量的氮可改善M O S 结构的电学性 [ 1 ] [ 2, 3 ] 栅介质中引 质 , 其后关于氮化物的研究便迅速开展起来 . 但这些研究主要集中在 SiO 2 入 可改善其电学、力学和化学性质上[ 4～ 10 ] , 而对氮化物特别是用 2 制成的栅介质的抗 N N O 电离辐射研究却很少见报道. 60 本文详细研究了含N 薄栅M O S 电容的 Co 辐照及辐照后的高温退火行为, 发现栅 介质中 的引入能明显抑制电离辐射对栅介质的损伤, 减小初始固定正电荷和 界 N Si SiO 2 面态, 抑制辐照陷阱的退火速度. 2　样品制备及实验 实验所用样品为 栅 型 电容, 制作在 17～ 2 3 · , ( 100) 的 衬底上. A l N M O S cm n Si - 4 2 经 900 ℃干氧栅氧化, 氧化后在