IGBT热阻测试标准.pdfVIP

1.1.1 结－壳热阻 Rth(j-c)和结－壳瞬态热阻抗 Zth(j-c) 1.1.1.1 方法 1 （采用小电流的集电极－发射极电压作为热敏参数） 1.1.1.1.1 目的 测量IGBT 的结－壳热阻和（或）结－壳瞬态热阻抗。 测量分两步进行： a) 确定小测量电流下的集电极－发射极电压温度系数； b) 测量DUT对内部耗散功率阶跃变化的响应特性。 1.1.1.1.2 电路图 图1 小测量电流I 下 V 随温度变化和大电流I 加热 DUT 的测量电路 C1 CE C2 1.1.1.1.3 电路说明和要求 电流源ICC1提供集电极直流小电流I ，I 恰好足以使集电极－发射极电压V 超过其饱 C1 C1 CE 和值。电子功率开关S提供叠加在IC1之上的高值集电极电流IC2 。切断IC2后，DUT返回到IC1 流通状态。 R2是测量电流的电阻器，可采用其他任何适当的电流探头替代。 1.1.1.1.4 测量程序 a) 确定小测量电流I 下的集电极－发射极电压V 温度系数α （见图28 ） C1 CE VCE 将被测DUT置于加热箱或惰性液体中，依次加热至温度T 和T 。测量前必须达到热平衡。 1 2 在温度T ，对应测量电流I 的集电极－发射极电压为V 。在较高温度T ，则为V 。温度 1 C1 CE1 2 CE2 系数αVCE 为： α ＝（V －V ）/ （T －T ） VCE CE1 CE2 2 1 图2 小测量电流I 下 V 随管壳温度 T （当外加热，即T ＝T 时）的典型变化 C1 CE c c j b) 测量DUT对内部耗散功率阶跃变化的响应特性 将被测DUT 固定在适当的散热器上。测量管壳温度Tc1 。在温度Tc1 ，测量电流IC1产生的 集电极－发射极电压V 。接通功率开关S，高值集电极电流I 流通。当建立起热平衡时， CE3 C2 测量T ＝恒定值＝T 和V ＝V 。这时，切断I ，且紧接着测量对应I 的集电极－发射极 c c2 CE CE4 C2 C1 电压V 。则在该瞬间有： CE5 T ＝T ＋(V －V ) / α j c1 CE3 CE5 VCE 和 R ＝(T －T ) / ( V ×I ) th(j-c) j c2 CE4 C2 如要测定瞬态热阻抗Z ，则记录切断I 后的冷却期间内，在I 下的V 和T 随时间的 th(j-c)