退火时间对BiTe多层薄膜结构和热电性能的影响-中国建筑材料联合会.PDFVIP

第 44 卷第 1 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ，No. 1 2 0 1 6 年 1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY January ，2016 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.01.15 退火时间对Bi/Te 多层薄膜结构和热电性能的影响 1 1 2 1 1 2 李 秦 ，檀柏梅 ，张 建新 ，牛新环 ，高宝红 ，田会娟 (1. 河北工业大学电子信息工程学院，天津 300401 ； 2. 天津工业大学，中空纤维膜材料与膜过程省部共建国家重点实验室，天津 300387) 摘 要：采用磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积厚度不同的 Bi/Te 多层薄膜，在氩气保护下对薄膜在 150 ℃进行不同时间退 火处理，研究了退火时间对 Bi/Te 多层薄膜物相组成、微观形貌、表面粗糙度和热电性能的影响。结果表明：退火过程使 Bi 、 Te 原子在相邻单质层界面上产生了强烈的扩散反应，生成以 Bi2Te3 为主相的 Bi–Te 化合物；随退火时间的延长，薄膜的界面 空洞增多，表面粗糙度变大。短时间退火可提高薄膜的热电性能；而随退火时间的延长，量子尺寸效应逐渐显现，薄膜的载 流子浓度、迁移率、电导率和 Seebeck 系数均出现明显的振荡现象，沉积的单质层越厚，振荡周期越大。 关键词：铋/碲多层薄膜；退火时间；微观结构；热电性能；磁控溅射 中图分类号：TN304 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)01–0095–09 网络出版时间：2015-12-23 05:19:59 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1719.015.html Effect of Annealing Time on Microstructure and Thermoelectric Properties of Bismuth/Tellurium Multilayer Thin Films 1 1 2 1 1 2 LI Qin , TAN Baimei , ZHANG Jianxin , NIU Xinhuan , GAO Baohong , TIAN Huijuan (1. School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China; 2. State Key Laboratory of Hollow Fiber Membrane Materials and Processes, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) Abstract: Bi/Te multilayer thin films with different thicknesses were deposited on a glass substrate via magnetron sputtering at room temperature. The thin films were annealed in Ar air at