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从硅芯片到软件- 设计低能耗嵌入式系统 第二部分软件设计原则 简介 设计低能耗系统时，我们需要关注一些非传统因素，这些因素涉及范围从硅芯片生产工艺 技术，到基于单片机的嵌入式平台上所运行的软件。通过对系统层面的深入分析，本文讨 论决定 MCU 能效的三个关键参数：工作模式功耗、待机模式功耗和占空比（他决定各种 状态下所占用的时间比率，由软件自身来决定）。 低能耗待机状态使 MCU 看上去具有超高能效，但事实是，只有考虑了控制工作模式功耗 的所有因素后才能决定MCU 的能效状况。总之，对于处理工艺、IC 架构和软件结构选择 的权衡是十分微妙的决定因素，有时会出现意想不到的结果。此外，单片机上功能模块相 结合的方式对整体能耗加以动态影响。即使对硬件实现看似小而轻微的改变，都可能会导 致系统运行周期中整体能耗的大幅波动。 本文的第一部分讨论了在硅芯片级别上，实现最低功耗的芯片级设计原则。 第二部分：软件设计原则 性能扩展 如何实现高能效嵌入式应用，这依赖于软件设计，而软件设计又要以最合适的方式使用硬 件资源，其中应用和硬件实现同样重要。同样的，处理器、时钟、电压和内存利用等硬件 的灵活性越大，开发人员可实现的节能潜力越大。此外，能感知硬件的软件工具可以帮助 嵌入式系统工程师辨别出能实现何种节能。 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 1 有一种方法是采用动态电压缩放，如图 1 和图 2 所示。此技术通过片上 DC-DC 变换器和 性能监视电路来实现，当系统不需要以最高速率执行指令时，可以降低供电电压。由此， 系统运行处于低功耗。好处在于其成为输入电压的函数，并且能在产品生命周期中改变。 下图显示固定电压（VDD 固定）、静态电压缩放（SVS ）和主动电压缩放（AVS ）之间 的相对差异。 SiM3L1xx MCU Maximum 图1：VBAT=3.6V 时电压缩放效率 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 2 SiM3L1xx MCU Maximum 图2 ：VBAT=2.4V 时电压缩放效率 AVS 有一个令人感兴趣的现象，AVS 策略依赖于输入到系统中的电压而改变。在这个示 例中，当输入电压为 3.6V 时，采用内部 DC-DC 变换器为内部逻辑（也包括 Flash 存储 器）供电更为高效。然而，当输入电压降低以后（例如电池在产品生命周期中放电），采 用输入电压直接为 Flash 存储器子系统供电是更高效的方法，因为此时与存储器相比，内 部逻辑能够在更低的电压下运行。例如来自Silicon Labs 的新型SiM3L1xx 低功耗32 位单 片机系列产品具有灵活的供电架构，支持六个独立和可变的供电域，可支持动态优化策 略。 通常情况下，当电压降低时 CMOS 逻辑电路操作变慢。如果应用可以容忍更低性能（一 般当处理通信协议时，所需的数据速率不超过特定标准化频率），那么低电压所带来的能 耗降低则更加省电（以平方倍数降低）。漏电损耗提供电压缩放的下限。如果操作花费太 多时间，那么漏电损耗将开始主导能耗方程式，并且增加整体功耗。出于这个原因，为了 使漏电组件功耗最小化，应该尽快执行操作，然后使处理器进入休眠模式。 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 3 假设一个无线传感器应用，其需要进行大量的数字信号处理（DSP ），例如玻璃破碎检测 器。在这个示例中，使用快速傅里叶变换（FFT ）分析由音频传感器提取的变动（特性频 率由玻璃破碎产生）。FFT 是一个相对复杂的算法，因此通过降低电压而得到的低频下运 行该算法，可能显著增加漏电损耗，即使采用旧的生产工艺技术也一样。在这种情况下， 最好的方法是在接近最大频率下运行，然后迅速返回到休眠状态，一直到需要向主机报告 时再运行。 然而，无线协议代码要满足不同的需求。无线协议有固定的事件时序。在这些情况下，协 议可以完全由