锗单晶和锗单晶片讨论稿.doc

前 言 本标准是对GB/T5238-2009《锗单晶》 的修订。 本标准与GB/T5238-2009相比，主要有如下变动： ——增加了锗单晶端面电阻率与直径大小的要求； ——增加了 大直径锗单晶的直径允许偏差要求； —— ——标准格式按GB/T1.1-2000《标准化工作导则》的要求进行了修改、补充和完善。 本标准自实施之日起，代替GB/T5238-2009。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准由 中锗科技有限公司负责起草。 本标准主要起草人： 锗单晶和锗单晶片 范围 本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容。 本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底等用的锗单晶和锗单晶片。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰退法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T5254 锗单晶晶向X光衍射测定方法 要求 产品分类 锗单晶和锗单晶片按导电类型分为n型和p型。 牌号 锗单晶和锗单晶片的牌号表示方法为: □ - Ge－ □（）-〈〉 4 3 2 1 1－表示锗单晶和锗单晶片的生产方法；用CZ表示直拉法,用HB表示水平法。 2－Ge表示锗单晶和锗单晶片。 3－用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。 4－用密勒指数表示晶向。 牌号示例： a）CZ-Ge-n(Sb)-〈111〉表示晶向为〈111〉n型掺锑直拉锗单晶和锗单晶片。 b）CZ-Ge-p(Ga)-〈111〉表示晶向为〈111〉p型掺镓直拉锗单晶和锗单晶片。 物理及几何参数 物理参数 锗单晶的电阻率参数应符合表1的规定。 表1 导电类型 掺杂剂 电阻率，Ω?cm p Ga 0.001～～+Ga(In) 0.5～～＜～～＞Ω?cm 少数载流子寿命，μs，不小于 n型 p型 ＜＜≥0.8～＞～＞～＞～＞～111、100。其晶向偏离应不大于2?。 3.3.1.5锗单晶的晶体完整性 3.3.1.5.1锗单晶的位错密度范围分成四类：＜～～～～～ 15 200～ 20 In 10 ～～～+Ga (In) 10 ～～～～～～ 0.90×0.90 0.85×0.85 1.00×1.00 0.90×0.90 2.00×2.00 0.95×0.95 2.25×2.25 — 边长允许偏差 ±0.05 ±0.05 厚 度 0.24 ～～±0.01（0.05） ±0.01 锗单晶片的表面质量 锗单晶方片不得有长度大于边长七分之一的崩边。边长不大于2mm的锗片，崩边宽度不得超过边长的十分之一；边长大于2mm的锗片，崩边宽度不得超过边长的二十分之一，每片的崩边数不得多于2个。 锗单晶片不允许有裂纹。 锗单晶片经超声清洗干燥后，表面应洁净、无色斑和沾污。 锗切割片不得有明显刀痕。 锗研磨片表面应无划道和刀痕。 锗腐蚀片表面应无划道、刀痕、色斑、污物和叠片现象。 其他 本标准规定以外的技术参数，由供需双方另行商定。 试验方法 导电类型的测定按GB／T 1550规定进行。 电阻率的测定按GB/T 1552规定进行。 位错密度的测定按GB/T 5252规定进行。 晶向的测定按GB/T 5254规定进行。 少数载流子寿命的测定按GB/T 1553规定进行。 几何参数的