双面微柱状膜片的对位检测方法与对位图案分析.pdfVIP

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双面微柱状膜片的对位检测方法与对位图案分析

雙面微柱狀膜片的對位檢測方法與對位圖案分析雙面微柱狀膜片的對位檢測方法與對位圖案分析 雙面微柱狀膜片的對位檢測方法與對位圖案分析雙面微柱狀膜片的對位檢測方法與對位圖案分析 董書屏 陳俊賢 洪堯駿 工研院量測中心 工研院量測中心 工研院量測中心 danieldong@.tw jim.chen@.tw YaochunHong@.tw 摘要摘要 摘要摘要 此文主要說明雙面微柱狀膜片的對位檢測方法與對位圖案分析驗證結果 。近來由滾壓製 程獲得微結構光學膜片進行雙面壓合或貼合時則有對位誤差問題 。雙面滾壓光學膜片需要雙 面對位工具控制誤差才能符合原設計的光學特性 。先前對位方法的技術發展基礎是基於半導 體對 位圖案技術而來 ,延續此方法對位方法應用此領域 ,可獲得製造上高精度雙面微結構光 學膜片 ,透過連續性被製造生產高精度光學膜片 ,在同一支滾輪上加工對位圖案與工作區間 的圖案 。不同對位區域的圖案都是經由同一把鑽石刀切削而成,因此可以保證滾輪對位圖案 具有水平與角度對位用途 。由雙面對位工具和直接藉由高精度製造滾筒上特別設計的圖案, 雙面表面影像可直接投射在 CCD 感測元件上 ,藉由影像處理建立雙面結構誤差資料有 達成對 位目標 。 關鍵字 :對位檢測、雙面微光學膜片 、對位圖案 壹、壹、 前言前言 壹壹、、 前言前言 發展連續式 Roll to Roll 製程設備與自動光學 對位與膜厚檢測模組 ,提升生產產能、良率 及品質 ,為目前本單位現階段投入之項目 。滾壓製程在多項產業已有重要應用,如照明、顯 示器 、太陽能等都有相關需求,此技術以大面積、生產速度快為其主要優勢。現今滾壓產業 趨勢朝向製作複合多功能光學膜片 ,因此,量測中心透過機械所合作開發複合式微光學膜片 對位檢測技術 ,於滾壓製程中進行對位 ,期以提升製程量率。對上述未來需要大量生產微光 學膜技術領域之產業 ,提供精確、高品質、快速和降低生產成本的解決方法。由於透明雙面 結構透明光學膜片製造時最大誤差來源來自滾筒 ,因此雙面滾壓時需要檢測工具 ,以此獲得 製造上精度要求 。我們提出一種解決此問需求方法。透過同一把鑽石刀在同一支滾輪的切削 加工 對位區域的圖案 ,可保持對位區與成型區圖案一致性,有相同尺寸大小 ,可供作為水平 與角度對位用途 。本篇主要描述對位圖案設計、檢測裝置配置與驗證流程 ,最後獲得對位函 數經式結果 ,可作為對位雙面結構錯位量的參考依據 。 貳、貳 、 研究方法研究方法 貳貳 、、 研究方法研究方法 在半導體製程中已知雙面對位方法 ,且有雙面壓印對位裝置產品,應用於微透鏡領屬德國 Süss 公司的 DSM 200 機台[1] ,其可應用於3D IC 對位檢測 ,對位方法則是利用雙面對位 裝置搭配對位圖案 ,將180 度旋轉消除對位中機構誤差 。 在半導體疊對檢測中 ,需要高精度之檢測工具提升精度 ,而量測工具本身造成的對位誤 差為 Tool-Induced Shift(TIS) [2] 。TIS 修正方式是利用 180 度旋轉晶圓消除機構誤差 ,必須 轉動晶圓來消除來自上下量測工具機構之偏移量 。同樣因晶圓表面不平整、厚度不均勻、離 焦與照明不均勻也是會造成對位誤差 ,此誤差統稱為 Wafer-Induced Shift( WIS) [2]. 為區 分來自工具上誤差與樣品上誤差以兩個不同位置 ,必須以相同檢測在晶圓左右對稱位置之對 位圖案 ,但是這是些方法對於應用於雙面滾壓時不適用 ,因為待測滾壓膜片無法轉 180 度方 向檢測 。在微光學中經常以 微光學結構印製對位圖案 ,結合微光學結構與檢測儀器用以放大 對位時 位錯位量 ,在美國專利us6,515,800 中提到對位結構為對稱十字柱狀鏡結構[3] ,可使下 層結構影像透過上層柱狀鏡聚焦投射至檢測物鏡內 。柱狀鏡具有放大特性 ,以雙面十字標方

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