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思考题 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序？ 切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。 切片可决定晶片的哪四个参数？ 晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 硅单晶片研磨后为何要清洗？ 硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率 硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些？对这些形态按何种顺序进行清洗？ 被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型 清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干 硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀？腐蚀方法有哪些？ 工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染 腐蚀方式：喷淋及浸泡 CMP包括哪2个动力学过程？控制参数有哪些？ 包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光 集成电路制造过程中常用的1号、2号、3号清洗液组成是什么？各有什么用途？ 硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？ 为了得到原子层台阶和结点位置，以利于表面外延生长。 外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响？ 外延温度，衬底杂质及其浓度，外延方法，外延设备等因素影响。 异质外延对衬底和外延层有什么要求？ 1. 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象； 2.衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 3.衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。 比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延（VPE）生长硅的优缺点 MBE——优点：超高真空度达10-9~10-11Torr ，外延过程污染少，外延层洁净。 温度低，(100)Si 最低外延温度470K，所以无杂质的再分布现象。外延分子由喷射炉喷出，速率可调，易于控制，可瞬间开/停，能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级。设备上有多个喷射口，可生长多层、杂质分布复杂的外延层，最多层数可达104层。在整个外延过程中全程监控，外延层质量高。——缺点：设备复杂、价格昂贵。 VPE——优点：外延生长温度高，生长时间长，可以制造较厚的外延层。在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。——缺点：操作过程繁冗，在掺杂剂气体中较难控制通入杂质气体剂量的精确度。 SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属那一类？ 结晶形和非结晶形， 是非结晶形 在SiO2中何谓桥键氧？何谓非桥键氧？，对SiO2密度有何影响？ 连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松 二氧化硅层的主要作用有哪些？ 1）作为掩膜。 2）作为芯片的钝化和保护膜。 3）作为电隔离膜。4）作为元器件的组成部分。 二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类？ 替位式杂质和间隙式杂质 热氧化方法有哪几种？各有何优缺点？ 有干氧氧化、 湿氧氧化、 水汽氧化 干氧氧化：结构致密，表面平整光亮；对杂质掩蔽能力强；钝化效果好；生长均匀性、重复性好；表面对光刻胶的粘附好，生长速率非常慢。 湿氧氧化：生长速率介于干O2与水汽氧化之间；可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大；对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。 由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因？ 薄层工艺（10nm以下氧化层）过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？ 氧化层膜厚的测定方法有哪些？ 比色法，干涉条纹法 热氧化时常见的缺陷有哪些？产生的原因有哪些？ 表面缺陷（针孔、白雾、斑点、裂纹） ，结构缺陷（层错） ，氧化层中的电荷（可动离子电荷，氧化层固定电荷，界面陷阱电荷，氧化层陷阱电荷） 什么是掺杂？ 在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂 热扩散的机制有哪些？ 替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散 扩散源有哪些存在形态？ 扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式 实际生产中为何采用二步扩散？预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点？ 为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一