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Chap.7 外延（Epitaxy） 外延（Epitaxy）的基本概念 外延的作用 双极型电路： ——解决高频功率器件的较高的击穿电压与较低的集电极串连电阻之间的矛盾，埋层工艺。 CMOS电路： 避免闩锁效应 避免硅层中SiOx的沉积 硅表面更光滑，损伤最小 §7.1 硅气相外延的基本原理 反应: SiHxCl4-x +H2 Si（固）+HCl（气） 气体源 硅源：SiCl4；SiHCl3；SiH2Cl2；SiH4 （Cl含量越高，反应温度越高，生长速率越慢，薄膜质量较差） 氢源：钯管提纯 外延生长模型： 生成成膜原子 成膜原子被吸附并生长成膜 化学反应过程 化学反应式： SiCl4+2H2 Si(固) +4HCl SiCl4+ Si(固) 2SiCl2(气) 生长速率与温度的关系 生长速率与反应剂浓度的关系 生长速率与气体流速的关系 衬底晶向等其他影响因素 外延生长速率与温度的关系 外延系统 外延工艺顺序 把干净的硅片装入反应室 吹入惰性气体并充入氢气（LPVCD：抽真空） 加热到氢气烘烤温度（1200 ℃ ）以除去氧化层（该步骤能去除50-100A的SiO2层） a)加热到HCl刻蚀温度；b)引入无水HCl(或SF6)以刻蚀表面的硅层；c)吹气以除去系统中的杂质和HCl a)冷却到沉积温度；b)引入硅原料和掺杂剂以沉积所要的薄膜；c)吹入氢气以去除硅原料和掺杂剂 冷却到室温 吹走氢气并重新充入氮气 取出硅片 §7.2 外延层中分杂质分布 掺杂原理 ——原位掺杂，B2H6, PH3, AsH3 扩散效应 ——衬底中的杂质与外延层中的杂质互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度缓慢变化 自掺杂效应 §7.3 选择性外延（SEG） 硅在各种材料上核化成膜的可能性：SiSi3N4SiO2 选择性：SiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH4 分类： 窗口填满生长 窗口内刻图形生长 硅衬底的凹陷处选择生长 §7.4 SOI（Silicon On Insulator）技术 SOI技术的主要优点： 介质隔离，寄生电容小，低功耗，高速高集成度有利， 提高了器件的抗辐射能力 抑制了CMOS电路的闩锁效应 工艺更简单，排除了一些危害成品率的因素 IBM公司的研究表明： SOI电路与传统的体硅电路相比，功耗可降低2／ 3，在1V的电压下可在GHz的范围内工作， 使用SOI CMOS可将体硅CMOS工艺极限推至0 .1 um，并能在工艺设计上实现三维多功能集成，特别适合应用于制造超大规模集成电路(ULSI)。 CMOS工艺中不同的隔离方式 SOS(Silicon On Sapphire, Spinel)技术 衬底的选择需要考虑的因素： 考虑外延层和衬底材料之间的相容性。包括晶体结构，熔点，蒸汽压、热膨胀系数等。 考虑衬底对外延层的沾污问题。 目前最适合硅外延的异质衬底是蓝宝石和尖晶石。当前工业生产上广泛使用蓝宝石做衬底。 SOS外延生长过程 硅源： SiCl4或SiH4 分解释放出硅原子淀积成单晶硅膜 衬底表面的反应：Al2O3+2HCl+H2=2AlCl↑+3H2O 2H2+Al2O3=Al2O ↑ +2H2O 5Si＋2Al2O3=Al2O ↑ ＋5SiO ↑ +2Al 带来的问题：自掺杂效应（引入O和Al） 衬底被腐蚀，导致外延层产生缺陷，甚至局部长成多晶 SiCl4对衬底的腐蚀大于SiH4，所以SOS外延生长，采用SiH4热分解法更有利。 在衬底尚未被Si完全覆盖之前，上述腐蚀反应都在进行为了解决生长和腐蚀的矛盾，可采用双速率生长和两步外延等外延生长方法。 双速率生长：先用高的生长速率(1～2um/min),迅速将衬底表面覆盖(生长100～200nm)。然后再以低的生长速率(约0.3um/min)长到所需求的厚度。 两步外延法：是综合利用SiH4/H2和SiCI4/H2两个体系的优点。即第一部用SiH4/H2体系迅速覆盖衬底表面，然后第二步再用SiCI4/H2体系接着生长到所要求的厚度。 SOS技术的缺点及需要解决的问题 缺点： 1）由于晶格失配（尖晶石为立方结构，蓝宝石为六角晶系）问题和自掺杂效应，外延质量缺陷多，但厚度增加，缺陷减小。 2）成本高，一般作低功耗器件。 需要解决的问题: 提高SOS外延层的晶体完整性，降低自掺杂，使其性能接近同质硅外延层的水平并且有良好的