ⅱ-ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应.ppt

* * Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子 及其压力效应 内容提要 第一章 绪论 1.Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 2.国内外研究现状：主要成果 3.未解问题 第二章 物理参数的压力（应变）依赖关系（略） 第三章 ZnSe/ZnCdSe量子阱中应变的压力调制效应 1 . 直接禁带-间接禁带转变压力 2 .重空穴-轻空穴能带交叉压力 第四章 ZnCdSe/ZnSe量子阱中的激子及其压力效应 1. 压力导致的激子-LO声子耦合增强的可能性 2. 重空穴激子的压力系数 3. 体弹性模量对重空穴激子跃迁的影响 第五章 压力对第Ⅱ类异质结的界面激子的结合能的影响 ZnSe/ZnTe异质结 ( ZnTe/CdSe异质结略） 第一章 绪论 1。Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 同以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料相比，以ZnSe和ZnO为代表的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其混晶具有带隙宽、直接带跃迁和能以任何比例组成混晶等优点，除此之外，Ⅱ-Ⅵ族半导体材料还具有较大的有效质量和较小的静态介电常数，具有较大的激子结合能，较小的激子半径，较小的抗磁能移，激子发光可延续到室