[工学]第一章半导体概要.ppt

微电子器件物理 TelEmail:stscdh@ weiaixiang@ 教材与参考书目 教材：《半导体器件基础》Robert F.Pierret著，黄如等 译，电子工业出版社 参考书： 1《半导体物理学》刘恩科等 ，国防工业出版社 2 《现代半导体器件物理》施敏著，科学出版社 2001 3 《化合物半导体材料与器件》成都电子科技大学出版社2000 4《半导体量子器件物理》傅英等，科学出版社2005 教学安排 第1章 半导体概要（2学时） 第2章 载流子模型（4学时） 第3章 载流子输运（4学时） 第5章 pn结的静电特性（4学时） 第6章pn结二极管的I-V特性（6学时） 第7章 pn结二极管的小信号导纳（2学时） 第8章 pn结二极管的瞬态响应（2学时） 第10章BJT基础知识（2学时） 第11章BJT静电特性（6学时） 教学安排 第12章 BJT的动态响应模型（2学时） 第14章 MS接触和肖特基二极管（2学时） 习题课（2学时） 第16章 MOS结构基础（6学时） 第17章 MOSFET器件基础（6学时） 第18章 非理想MOS （4学时） 习题课2学时 复习2学时 考试2学时 第一章 半导体概要 1.1 半导体材料的特性 1.2 晶体结构 1.3 晶体生长 1.1 半导体材料的特性 一、 半导体材料的基本性能 导 体： ?=10-6~10-4 ?cm 半导体： ?=10-3~109 ?cm 绝缘体： ?1010?cm 1. 半导体材料的电阻率直接影响集成电路的电学性能 2、导电能力随温度上升而迅速增加 3、半导体的导电能力随所含杂质的微量变化而发生显著变化 4、半导体的导电能力随光照而发生显著变化 5、半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用而发生显著变 化 1.1 半导体材料的特性 二、半导体材料的分类 1.1 半导体材料的特性 三、半导体的结构 1.1 半导体材料的特性 四、半导体材料的原子组成 1.1 半导体材料的特性 元素半导体：Si, Ge, Si1-xGex Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 GaAs, GaP, GaN,AlN,AlSb,InN,InP,InAs Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体ZnS, ZnSe,ZnTe,CdS,CdSe,CdTe 1.2 晶体结构 晶体是由一些基元按一定规则, 周期重复排列而成。基元可以是原子或原子集团； 晶体结构=晶格+基元. 1.2 晶体结构 二、晶格、格点和布喇菲格子 结晶学: 首先考虑晶体结构的周期排列特征。(即几何图形而非组成原子) 挑选各基元中的任一点（如重心），把最近邻点相连接，抽象出三维几何网络, 则此网络就叫晶格，或布喇菲格子，网格点就叫格点，除边界以外, 布喇菲格子内每一个格点都是等价的, 它代表的内容、它的环境与所处的地位是相同的。 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1、半导体的晶格结构-（1）Si和Ge属于金刚石结构 1.2 晶体结构 2、 Ⅲ-Ⅴ族和大部分Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体属于 闪锌矿结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 四、晶列、晶向 任取两格点的连线延伸, 它必然穿过一串格点—晶列; 也必然有无穷相互平行的晶列, 它们通过所有的格点, 没有遗漏, 也没有重复, 则称这些平行的晶列为晶列簇。 晶向表示晶列的方向，通常以晶胞的基矢来表示 用[lmn]表示 1.2 晶体结构 五、晶面、晶面方向、密勒指数 任选三个不在同一直线上的点构成一个平面， 平面无限延伸穿过无限个规则排列的点， 这个平面叫晶面； 也必有与它平行的无限个平面，它们覆盖所有的格点， 没有遗漏， 也没有重复， 则称这些平行的晶面为晶面簇。 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.2 晶体结构 1.3 晶体的生长 1.3 晶体的生长 1.3 晶体的生长 * * 魏爱香 半 导 体 有机半导体：有机发光材料，制作发光二极管 无机半导体 非晶半导体 多晶半导体 晶体半导体 元素半导体：Si，Ge 化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物 氧化物半导体 按结构划分 按材料组成划分 Ⅳ-Ⅵ族化合物 图1.1 基于原子在固体内的有序排列程度对固体进行分类 三元化合物 多元化合物 一、基元 图1.2 图1.3 晶体内原子排列单胞的介绍 二维格子 所选的一种单胞 二维格子的 可重组性 另一种可 选的单胞 二维格子几种可能的原胞取法 二维格子几种可能的基矢