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第七章 金属-半导体接触和MIS结构 微电子学院 7.1 金属-半导体接触 金属-半导体接触：指的是有金属和半导体相互接触而形成的结构。 现代半导体工艺中，金属-半导体接触是通过在半导体表面真空蒸发一金属表面形成，常用的金属有铝和金。 金属-半导体接触可形成整流特性接触和欧姆接触。 整流特性接触：金属细丝与半导体表面形成整流接触。 欧姆接触：电极连接作用，等效一个小电阻。 7.1.1 功函数的概念 固体中的共有化电子虽然能在固体中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从固体中逸出，必须由外界给它以足够的能量。 固体功函数：固体中位于费米能级处的一个电子移到体外自由空间所作的功。（逸出功） W=E0-Ef E0: 真空中的静止电子能量； Ef : 费米能级。 （1）金属材料的功函数 绝对零度时，金属中的电子填满了费米能级 EF以下的所有能级，而高于 EF的能级则全部是空着的。 一定温度下，只有EF附近的少数电子受到热激发，由低于 EF的能级跃迁到高于EF的能级上去，但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外。 一个电子从金属跃迁到体外所需最小能量Wm： Wm=E0-Efm （2）半导体材料的功函数 在半导体中，导带底Ec和价带顶Ev一般都比E0低几个电子伏特。要使电子从半导体逸出，也必