[理学]第4章 晶体缺陷1——点缺陷.pptVIP

第四章 晶体缺陷 4.1点缺陷 4.2 位错 4.3 位错的能量及交互作用 4.4晶体中的界面 在实际晶体中，由于原子（或离子、分子）的热运动，以及晶体的形成条件、冷热加工过程和其他辐射、杂质等因素的影响，实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整，常存在各种偏离理想结构的情况，即晶体缺陷。 晶体缺陷对晶体的性能，特别是对那些结构敏感性能，如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导率等有很大影响。另外晶体缺陷还与扩散、相变、塑性变形、再结晶、氧化、烧结等有密切关系。 因此，研究晶体缺陷具有重要的理论与实际意义。 晶体结构缺陷的类型按几何形态分类: 1. 点缺陷 2. 线缺陷 3. 面缺陷 1.点缺陷（零维缺陷） ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 包括： 空位（vacancy）、 间隙质点（interstitial particle）、 杂质质点（foreign particle）。 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、高温动力学过程等有关。 图4-1 晶体中的点缺陷 　　 2.线缺陷（一维缺陷） 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，如各种位错（dislocation），如图4-2所示。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 图4-2 　(a) 刃位错　(b)螺位错 3.面缺陷 面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小，如晶界、相界等。 面缺陷的取向及分布与材料断裂韧性有关。 图4-3　面缺陷－晶界 3.1 点缺陷 (point defects) 是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。 特征：三个方向尺寸都很小，不超过几个原子间距。 晶体点缺陷包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子，以及由它们组成的复杂点缺陷，如空位对、空位团和空位-溶质原子对等。 图4-4 热缺陷产生示意图 3.2.1 平衡点缺陷的浓度 (equilibrium point defect） 晶体中点缺陷的存在 造成点阵畸变，使晶体的内能升高，降低了晶体的热力学稳定性； 由于增大了原子排列的混乱程度，并改变了其周围原子的振动频率，引起组态熵和振动熵的改变，使晶体熵值增大，增加了晶体的热力学稳定性。 这两个相互矛盾的因素使得晶体中的点缺陷在一定的温度下有一定的平衡浓度。 ΔU的变化是线性的,TΔS随着缺陷的增加变化是非线性的，二者的综合作用是使系统的总自由能随着点缺陷的增加先降低，而后又增加。在一定的温度下，晶体中存在一个平衡的热力学点缺陷浓度，在此浓度下，系统最稳定，自由能最低 点缺陷在T温度时的平衡浓度为： Ce：某一种类型点缺陷的平衡浓度； U：该类缺陷形成能; N：晶体的原子总数； ne：平衡点缺陷数目； A：材料常数，其值常取1; K：玻尔兹曼常数, 约为8.62× 10-23J/K； 在一般的晶体中间隙原子的形成能较大（约为空位形成能的3-4倍）。 因此，在同一温度下，晶体中间隙原子的平衡浓度C要比空位的平衡浓度C′低得多。 在通常情况下，相对于空位，间隙原子可以忽略不计； 但是在高能粒子辐照后，产生大量的弗兰克尔缺陷，间隙原子数就不能忽略。 3.2.2过饱和点缺陷的产生 (supersaturated point defect) 在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低，系统最稳定。当在一定的温度下，晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度时，这些点缺陷称为过饱和点缺陷，通常 它的产生方式有三种: 淬火(quenching) 冷加工(cold working) 辐照(radiation) 1.淬火 高温时晶体中的空位浓度很高，经过淬火后，空位来不及通过扩散达到平衡浓度，在低温下仍保持了较高的空位浓度, 2.冷加工 金属在室温下进行压力加工时，由于位错交割所形成的割阶发生攀移，从而使金属晶体内空位浓度增加 3.辐照 当金属受到高能粒子（中子、质子、氘核、α粒子、电子等）辐照时，晶体中的原子将被击出，挤入晶格间隙中，由于被击出的原子具有很高的能量，因此还有可能发生连锁作用，在晶体中形成大量的空位和间隙原子 3.1.3 点缺陷与材料行为 晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断地产生与复合才不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动，这就是晶体中原子的自扩散，是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结等物理化学过程的基础。 在常温下，平衡浓度的点缺陷对材料力学性能影响并不大，但是在高温下空位的浓度很高，空位在材料变形时的作用就不能忽略。空位的存在及其运动是晶体高温下发