[理学]第二章 半导体二极管及基本电路.pptVIP

第二章 半导体二极管及基本电路 本征半导体 杂质半导体 P型半导体（空穴型半导体） 1.电子数=本征激发电子数； 2.所掺杂质称为受主杂质（或P型杂质、受主原子）； 3.总空穴浓度（p)=本征激发的空穴浓度（n)+受主杂质的浓度（NA）； 4.空穴为多数载流子（多子）， 电子为少数载流子(少子）； 5.在无外电场时，呈电中性 掺入微量杂质，导电能力将很大提高 PN结的形成 PN结中的两种运动 PN结的单向导电性 二极管实物 半导体二极管的伏安特性曲线 (1)正向特性 半导体二极管的参数 3.折线模型（实际模型） 二极管电路分析 2.限幅电路 3.开关电路 例4：判别二极管是导通还是截止 例6： 例7： 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 例8：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 例9： 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 (2)反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 (3)反向击穿特性 击穿： 1、热击穿：若反向电流与电压的乘积超出PN结的耗散功率，则管子会因为过热而烧毁,形成热击穿——不可逆。 2、电击穿：在强电场的作用下，大大增加自由电子和空穴的数目，引起反向电流的增大。当反向电流与电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率时，是可逆的。即反压降低时，管子可恢复原来的状态。(在应用中可以出现的，可以合理利用，比如，整流管/稳压管) （1）雪崩击穿：电子空穴对获得能量发生碰撞。 （2）齐纳击穿：强电场---分离电子空穴对。 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF 在室温，规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 IR越小，管子的单向导电性越好。（和温度有关） 电容：可存储、释放电荷（电场能量）的电器元件 介质 金属板 PN结具有电容效应，耗尽层电导率低，相当于介质；P、N型区相对来说电导率较高，相当于金属板 （5）PN结的电容效应 在正向偏置时可以不考虑，但是在反向偏置时不可忽略。 势垒电容CB：是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，表现出PN结的电容效应。 扩散电容CD：于PN结两端加不同的正向电压时，会导致更多的载流子冲入或者放出。积累在P区的电子或者N区的空穴随着外加电压的变化就构成PN结的扩散电容 在反向偏置时可以不考虑，但是在正向偏置时较大。 2.4 二极管基本电路分析 二极管模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 又称开关模型 4. 小信号模型 1.静态分析 例1：求VDD=10V时，二极管的 电流ID、电压VD 值。 解： 1. 理想模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 2. 恒压降模型 3. 实际模型 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 例2：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 解： 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例3：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： + 9V - + 1V - + 2.5V - + 12.5V - + 14V - + 1V - 截止 - 9V + - 1V + +