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大学生创新性实验计划项目 申请答辩 项目名称： 吸波型SiC陶瓷阻抗匹配层的 优化设计 申 请 人 ：王婕 王茜 郭梦洛 指 导 老 师 ： 殷小玮 ——西北工业大学材料学院 理论基础与研究现状 研究计划 创新点 4 2 3 可行性分析 5 6 答 辩 提 要 ： 研究进度与预期成果 7 研究背景 团队与经费预算 1. 研究背景 优异高温力学性能 优良雷达吸波性能 新一代飞行器需要高温热结构材料具有优异的 高温力学性能和吸波性能 磁损耗型吸波材料在高于居里点失去磁性 涂覆型吸波材料不能承载 吸波型高温陶瓷材料成为航 空发动机用吸波材料的首选 1. 研究背景 SiC陶瓷是理想的高温结构材料 耐高温 抗氧化 密度低 力学性能好 必须提高SiC陶瓷的吸波性能 SiC陶瓷是理想的高温热结构材料，但其相对介电常数偏低，吸波性能不理想 1. 研究背景 2.1 理论基础 材料对电磁波(SETotal，单位为dB)的作用主要包括反射和衰减 μr—相对磁导率或相对介电常数；σr— 相对电导率；f—电磁波频率； t—材料厚度 —— (1) —— (2) 衰减率 反射率 掺杂可以同时提高μr σr和μr/σr，从而提高SEA，降低SER，为了进一步降低SER需要采用阻抗匹配层 10,11] 阻抗匹配材料的选择原则： 介电常数(ε)介于被匹配材料与自由空间之间，应为透波材料 [12-16] 阻抗匹配层的作用是使被匹配材料的本征阻抗与自由空间的本征阻抗保持连续 2.1 理论基础 SiC陶瓷 入射电磁波 反射电磁波 ε1 tanδ1 ε2 tanδ2 2.1 理论基础 阻抗匹配层可以进一步降低SiC陶瓷表面的电磁波反射率 阻 抗 匹 配 层 自由空间 2.2 国内外发展现状 目前主要是对SiC掺杂改性的研究较多，但对于SiC阻抗匹配改性的研究较少 研究人员 制备方法 材料体系 Cheng [6] CVD 掺杂SiC陶瓷 赵东林 [7] 激光合成 N掺杂SiC纳米粉体 张 博 [8] 碳热还原 Al掺杂SiC纳米粉体 李志敏 [9] sol-gel B掺杂SiC纳米粉体 目前对阻抗匹配型SiC陶瓷的研究较少，原因是阻抗匹配层很难做到使SiC与自由空间之间的波阻抗连续渐变 2.2 国内外发展现状—存在问题： 阻抗匹配材料 Si3N4 BN Air ε 8~9 4.5 1 tanδ ~10-3 ~10-3 0 3.1 研究思路 本项目选择Si3N4和BN作为阻抗匹配层材料 采用化学气相沉积法（CVD）在SiC陶瓷表面形成Si3N4/BN多层阻抗匹配层 3.2 研究目的 本项目通过计算Si3N4、BN等典型透波材料的波阻抗及其与SiC陶瓷间的阻抗匹配特性，优化设计出吸波型SiC陶瓷的多层阻抗匹配层。 3.3 研究意义 本项目研究吸波型SiC陶瓷阻抗匹配层的优化设计方法，选题具有重要的理论意义和学术研究价值，可丰富高温结构陶瓷及其复合材料的吸波理论 研究成果将具有工程应用价值，可为后续吸波型CMC-SiC复合材料的优化设计奠定基础 3.4 研究内容 3.5 科学难点与解决方法 多层透波阻抗匹配层的优化设计 作为多层阻抗匹配层，Si3N4和BN的层 数、层序和层数等微结构参数难以确定 拟通过分别表征CVD Si3N4和BN的本征电磁响应特性，采用多层微波吸收理论，确定Si3N4和BN的层厚、层序和层数微结构参数。 3.6 技术难点与拟解决方法 CVD SiC、Si3N4和BN本征电磁响应特性的精确表征 在本项目的实施过程中，需要测定SiC、Si3N4、BN的本征电磁响应特性，包括介电常数和介电损耗。传统的融石蜡法难以控制待测物质的量。 拟采用低介、低损的多孔Si3N4陶瓷作为基片，通过CVD将SiC、Si3N4、BN沉积在多孔Si3N4陶瓷中。通过称重可以准确的计算出待测物质的量，从而大幅度降低测试结果的误差。 3.7 研究路线 CVD SiC SiC陶瓷坯体 CVD SiC陶瓷 测试/计算 SiC/Si3N4/BN陶瓷 测试/计算 CVD Si3N4 CVD BN 结合计算，得出多层阻抗匹配层厚度与反射率的关系 SiC粉体 热压 4.1 可行性分析—理论依据 本项目从多层材料的电磁