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富士驱动器使用说明 作者：Admin??时间：2009-8-31 11:20:40??访问次数：1104 ? ? 用于隔离栅双极性晶体管（IGBT）的富士混合IC驱动器 使用说明 一、介绍 隔离栅双极性晶体管(IGBT）正日益广泛地应用于小体积，低噪音，高特性的电源，逆变器，不间断电源（UPS）以及电机速度控制装置之中。用于IGBT的富士混合IC驱动器吸取了IGBT的全部优点而开发。 二、特点 不同的系列标准系列：最大 10kHz运行高速系列：最大 40kHz运行这些系列包括了全部 IGBT产品范围 内装用于高隔离电压的光耦合器：2500VAC一分钟 单供电操作 内装过流保护电路 过流保护输出 高密度安装的SIL封 三、应用 通用逆变器和电机控制 伺服控制 不间断电源（UPS） 电焊机 四、综合图表 IGBT 600V IGBT drive 1200V IGBT drive 150A 400A 75A 300A 标准型 EXB850 EXB851 EXB850 EXB851 高速型 EXB840 EXB841 EXB840 EXB841 注： 1．标准型：驱动电路信号延迟；大到 4μs（最大）?????2．高速型：驱动电路信号延迟；大到 1.5μs（最大） 五． 尺寸，mm EXB850/EXB840 EXB851/EXB841 ? ? 六 ． 功能方框图 脚 码 说明 连接用于反向偏置电源的滤波电容 电源（+20V） 驱动输出 用于连接外部电容，以防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容。） 过流保护输出 集电极电压监视 ? ⑧ 不接 电源（ov） ? ⑾ 不接 驱动信号输入（-） 驱动信号输入（+） 七． 额定参数和特性 绝对最大额定值 (Ta=25oC) 项目 符号 条件 额定值 单位 EXB850 EXB840《中容量》 EXB851 EXB841《大容量》 Supply voltage供电电压 Vcc ? 25 V 光耦合器输入电流 Ii ? 10 MA 正向偏置输出电流 Ig1 PW=2μs duty at 0.05 or less 1.5 4.0 A 反向偏置输出电流 Ig2 PW=2μs?duty at 0.05 or less 1.5 4.0 A 输入／输出隔离电压 VISO AC 50/60Hz, 1miute 2500 V 工作表面温度 Tc ? -10 to +85 oC 存贮温度 Tstg ? -25 to +125 oC 推荐的运行条件 项目 符号 推荐工作条件 单位 标准型 高速型 EXB850 EXB851 EXB840 EXB841 供电电压 Vcc 20 ± 1 V 光耦合器输入电流 Ii 5 10 mA 电特性 (Ta=25oC) 项目 符号 条件 额定参数 单位 EXB840，EXB841（高速） EXB850，EXB851（中速） Mi Typ Max Mi Typ Max Turn-on time 1 导通时间 ton Vcc=20V, IF=5mA ? ? 1.5 ? ? 2.0 μsec Turn-on time 2 导通时间 toff Vcc=20V, IF=5mA ? ? 1.5 ? ? 4.0 μsec 过流保护电压 tocp Vcc=20V, IF=5mA ? 7.5 ? ? 7.5 ? V 过流保护延迟 tocp Vcc=20V, IF=5mA ? ? 10 ? ?? 10 μsec 延迟 tALM Vcc=20V, IF=5mA ? ? 1 ? ? 1 μsec 反向偏置电源电压 tRB Vcc=20V ? 5 ? ? 5 ? V 注：EXB850和EXB851（中速）需应用电路所示的IF过驱动。 八． 应用电路 1. EXB850应用电路 EXB850为混合IC，能驱动高达150A的600V IGBT和高达75A的1200V IGBT由于驱动电路的信号延迟＜μS，所以此混合IC适用于高达大约10kHz速度的开关操作。使用此混合IC时，请注意以下方面： IGBT栅射极驱动回路接线必需小于1m IGBT 栅射极驱动接线应为绞线。 如在IGT集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT栅串联电阻（RG）。 33μF（＃）电容器吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。 推荐的栅电阻和电流损耗 IGBT?额定值 600V 10A 15A 30A 50A