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第2章 典型导波系统的场分析 TE波的场结构 TE10模场结构 TE10模沿+z方向传播的量的瞬间变化为： 取ωt=π/2瞬间进行作图。 首先研究电场分布，将矩形波导分为三个截面 X＝a/2处的Y-Z面，电场沿b边不变，沿z为余弦分布 Y=b/2处的xz面 ，电场沿a边变化是半个正弦波。 沿z为余弦变化。 其次作三个剖面上的磁场分布图 Z=0处χy面，因为空间磁力线为近似椭圆形，磁场沿a 边有半个正弦波的变化，沿b边不变。 χ=a/2处的yz面，磁场沿y不变，沿z为余弦分布 y=b/2处的xz面 ，此剖面上磁场存在两个分量 、 。 沿a边有半个正弦波变化，沿z为余弦分布 。 沿a 边有半个余弦波变化，沿z为正弦分布。 方法 （1）TEmn模中的m代表场沿波导宽边a变化的正弦或余弦半 驻波数目； （2）n代表场沿波导在窄边b变化的半驻波数。 有了上面的结论，现在我们来研究TEm0模和TE0n模的场结 构。 TEm0模场结构 由导波a边上排列m个TE10模的场结构所构成 ，但需注意，由于正余弦函数变化特性，相邻的两个单元结构的场，力线方向相反。 TE20模电磁场横截面图 TE0n模场结构 首先需要知道TE01模场的分布：TE01模的场结构可以 由TE10模的场结构以波导轴为轴旋转90°获得，如图 TE0n模的场结构可以由在b边排列n个TE01模的场结构 组成。同样，注意相邻两单元间场反相。 TEmn（m≠0,n≠0）模场结构 可以想象它的单元结构应是TE11模的场结构。 因为场的五个分量都存在，场结构比较复杂。所以， 先根据场的解析公式分析电场分布 ，再由横截面内电场 与磁场相互垂直，画出磁场分布。 有了TE11模场结构，不难推出TEmn（m1,n 1）模的场 结构来。它是沿a边有m个TE11模场结构单元，b边有n个 TE11模场结构单元所组成。 TM波的场结构 由于TM0n模和TMm0模不存在，故TM模式中最简单的是 TM11模。仿照绘制TE11模场结构的方法，绘出TM11模在 横截面的场结构，如图所示： 根据TM11模的场结构可以推出TMmn模的场结构。它是沿a 边有m个TM11模场结构单元，沿b边有n个TM11模场结构单 元所构成。图为TM21模横截面场结构图。 矩形波导的壁电流分布 由TE10模的电流分布可见，当波导工作在TE10模时，波 导宽边中心处开一纵槽，因不破坏电流分布面对场分布 不产生影响；波导窄边上开纵槽则对场分布产生较大的 影响，引起能量辐射与反射。 传输功率、能量和衰减 1）传输功率 式中 2）能量 3）衰减 1. 导体衰减 2. 介质衰减常数 矩形波导的主模—TE10模的传播特性 沿+z方向传播的TE10模场分量 其参量为 TE10模的场结构及电流分布图 传输功率、能量与衰减 由前面的公式可知： 而TE10模的电场表达式为： 可以看出，最大电场应在x=a/2处 代入 解出A 可得： 若电场Ey采用 则 当上述最大场强达到击穿程度时， 可见：矩形波导主模的击穿功率或功率容量与波导内填 充的介质及其击穿场强有关，还与波导截面尺寸及工作 波长有关，通常波导中填充空气，因此有： 此式表明击穿功率仅与波导截面尺寸及工作波长有关。 考虑到既传输较大功率，又不致出现高次模，通常选择 矩形波导TE10模的工作区选在0.5λ/2a0.9范围内 单位长矩形波导中TE10模电能平均值 导体壁损耗引起TE10模的衰减常数 介质衰减常数 TE10模的等效特性阻抗 矩形波导为单导体导波系统，不存在单值电压波和单值电流波，因而也不存在单值的特性阻抗。 (1)等效电压与等效电流定义特性阻抗 等效电压：波导横截面上两宽边中点之间电场的线积分。 等效电流 ：取一个宽边上的总纵向电流 于是, TE10模的等效特性阻抗: (2)从功率和等效电压或功率和等效电流定义特性阻抗 它们为 为简便起见，常去掉前面的数字系数，仅取三种定义的 共同部分作TE10模的等效特性阻抗 代入圆柱坐标系的横－纵关系式可得TEm