室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管.pdfVIP

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2018-03-10 发布于天津
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室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管

第３８卷　第７期发　光　学　报Ｖｏｌ３８Ｎｏ７２０１７年７月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＪｕｌｙꎬ２０１７文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０７￣０９１７￣０６室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管１ꎬ２ ∗ １１刘玉荣 ꎬ黄　荷 ꎬ刘　杰 (１. 华南理工大学　电子与信息学院ꎬ广东广州　５１０６４０ꎻ ２. 华南理工大学　广东省短距离无线探测与通信重点实验室ꎬ广东广州　５１０６４０) 摘要:为降低氧化锌薄膜晶体管(ＺｎＯＴＦＴ)的工作电压ꎬ提高迁移率ꎬ采用磁控溅射法在氧化铟锡(ＩＴＯ)导电玻璃基底上室温下依次沉积ＮｂＬａＯ栅介质层和ＺｎＯ半导体有源层ꎬ制备出ＺｎＯＴＦＴꎬ对器件的电特性进行了表征ꎮ 该ＺｎＯＴＦＴ呈现出优异的器件性能:当栅电压为５Ｖ、漏源电压为１０Ｖ时ꎬ器件的饱和漏电流高达２.２ｍＡꎻ有效场效应２饱和迁移率高达１０７ｃｍ/ (Ｖｓ)ꎬ是目前所报道的室温下溅射法制备ＺｎＯＴＦＴ的最高值ꎬ亚阈值摆幅为０.２８Ｖ/ ７ｄｅｃａｄｅꎬ开关电流比大于１０ ꎮ 利用原子力显微镜(ＡＦＭ)对ＮｂＬａＯ和ＺｎＯ薄膜的表面形貌进行了分析ꎬ分析了器件的低频噪声特性ꎬ对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论ꎮ 关　键　词:薄膜晶体管ꎻ氧化锌ꎻ磁控溅射ꎻ高迁移率＋＋中图分类号:ＴＮ３２１ .５ꎻＯ４７２ .４　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０９１７ＨｉｇｈＭｏｂｉｌｉｔｙＺｎＯＴｈｉｎ￣ｆｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＦａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇａｔＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ１ꎬ２∗ １１ＬＩＵＹｕ￣ｒｏｎｇ ꎬＨＵＡＮＧＨｅ ꎬＬＩＵＪｉｅ (１. ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４０ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. ＮａｔｉｏｎａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｆｏｒＭｏｂｉｌｅＵｌｔｒａｓｏｎｉｃＤｅｔｅｃｔｉｏｎꎬ ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４０ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｐｈｌｙｒ＠ｓｃｕｔ.ｅｄｕ.ｃｎＡｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｏｐｅｒａｔｉｎｇｖｏｌｔａｇｅａｎｄｉｎｃｒｅａｓｅｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｍｏｂｉｌｉｔｙｉｎｚｉｎｃｏｘｉｄｅｔｈｉｎ￣ｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ (ＺｎＯＴＦＴ)ꎬＺｎＯＴＦ