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电力电子器件(2)--晶闸管 1. 晶闸管的结构与工作原理 2. 晶闸管的基本特性 3. 晶闸管的主要参数 4. 晶闸管的派生器件 * * * * * * * * * * * * * 第一章 电力电子器件 1 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管（Thyristor）——硅晶体闸流管的简称 又称：可控硅整流器SCR，简称可控硅。 晶闸管派生器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸 管、光控晶闸管等。 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 能承受大电压和电流，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 1.1 晶闸管的结构 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个电极：A、K 、G 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 晶闸管等效电路 （a） （b） 常用晶闸管的结构 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 〔解释〕 当SCR的阳极和阴极电压UAK0，即EA下正上负，无论门极G加什么电压，SCR始终处于关断状态； UAK0时，只有EGk0，SCR才能导通（灯亮）。说明SCR具有单向可控导电性； SCR导通后，去掉EGK,SCR仍然导通。说明SCR一旦导通，门极G将失去控制作用。SCR导通后的管压降为1V左右，主电路中的电流I由R和EA的大小决定； SCR导通后，若UAK≤0，SCR关断。（若使R增大或EA降低，导致I逐渐降低至某一个小数值时，则SCR同样会关断。该小电流称为SCR的维持电流。） 1.2 晶闸管的单向可控导电性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管的特性总结如下： 结论： SCR导通条件： UAK0 同时 UGK0 由导通→关断的条件：使流过SCR的电流降低至维持电流以下。 如去掉阳极电压UAK、加反向电压。 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 1.3 晶闸管的工作原理 （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 正向阻断：开关S断开，IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 触发导通：开关S闭合，注入触发电流IG。管子内部形成电流正反馈，V1、V2饱和，?1+?2趋近于1，流过晶闸管的电流IA急剧增大，晶闸管导通。IA实际由外电路决定。 IG Ib2 Ic2(=β2Ib2) Ib1 Ic1(=β1Ib1) 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应（硬开通） 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发原理制成光控晶闸管，可以应用于高压电力设备中，保证控制电路与主电路之间的良好绝缘。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 其他几种可能导通的情况： 2 晶闸管的特性 阳极伏安特性 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，若门极电流为零，且阳极电流降至某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流 。 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 2.1 静态特性 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM （2）反向特性 工作频率低时，不需要考虑动态特性；工作频率高时必须考虑动态特性。 （1） 开通过程 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间 上升时间tr：