大家來學光耦合(中).ppt

大家來學光耦合 入門篇 動作原理 光耦合器的種類 光耦合器的特徵 光耦合器的構造 光耦合器的電氣特性 光耦合器的外觀 光耦合器的應用 動作原理 光電轉換 電能?光能傳輸 光能接收?電能 輸入端 輸出端 光耦合器的種類 光耦合器是由發光元件和受光元件組合成一體的元件,其輸入端與輸出端之間呈電氣絕緣狀態,利用光來傳送訊號. 通常光耦合器輸入端使用之發光元件為發光效率較高之 GaAs/GaAlAs 紅外線發光二極體(Infrared LED). 可依因應不同之用途,分為直流驅動型與交流驅動型兩大類. 輸出端之受光元件,使用波長特性與發光元件波長吻合之矽晶光半導體元件. 依特性功能用途不同,矽晶光半導體元件大致可分下列幾類: 1.光電晶體(Photo Transistor) 2.光達靈頓電晶體(Photo Darlington Transistor) 3.光閘流體(Photo Tryristor) 4.光TRIAC (Photo TRIAC) 5.光電積體電路(Photo IC) 光耦合器的特徵 1.輸入端與輸出端之間在電氣上完全絕緣. 2.無迴授現象,信號單方向傳達,輸出信號不 會影響輸入信號. 3.反應速度較快. 4.與邏輯元件連接方便. 5.體積小,重量輕,可提高組裝密度. 光耦合器的構造 1.對照式(Face to face) (1).IR Chip LED :發射光訊號元件 (2).PT Chip :接收光訊號元件 (3).Lead Frame:用於連接元件對外訊號傳輸 (4).Silver Epoxy:固定晶片於料片之材料 (5).Gold wire:連接晶片和料片 (6).Silicone:緩衝晶片受應力作用 (7).Inner Molding Compound ( white Epoxy):光傳輸及輸入端與輸出端絕緣作用 (8).Outer Molding Compound ( Black Epoxy):阻光干擾與耐燃作用 2.對照隧道式(Face to face) 3.平面式(Side by side) 光耦合器的電氣特性 VF (Forward Voltage ): LED順向電壓 VFP (Peak Forward Voltage): LED順向瞬間最大電壓 IF (Forward Current ): LED順向電流(輸入電流) VR (Reverse Voltage ): LED逆向電壓 IR (Reverse Current ): LED逆向電流 VCEO (Collector-Emitter Voltage ): 集極-射極電壓 (CE端崩潰電壓) VECO (Emitter-Collector Voltage ): 射極-集極電壓 (EC端崩潰電壓) VCBO (Collector-Base Voltage ): 集極-基極電壓 (CB端崩潰電壓) VBCO (Base-Collector Voltage ): 基極-集極電壓 (BC端順向電壓) VEBO (Emitter-Base Voltage ): 射極-基極電壓 (EB端崩潰電壓) VBEO (Base-Emitter Voltage ): 基極-射極電壓 (BE端順向電壓) ICEO (Collector Dark Current): 集極-射極漏電流(漏電流) 所謂漏電流就是將光耦合器的輸入電流完全切斷時輸出端流通之電流,一般為nA(10 -9 A)等級;雖然電流很小,但是如果是輸入驅動電流很小或者是周圍溫度較高之場合就必須考慮到此電流. IC (Collector Current): 輸出端集極電流(輸出電流) CTR (Current Transfer Ratio): 電流轉換比 所謂電流轉換比,就是光耦合器之輸出電流(IC)與輸入電流(IF)之比: CTR= IC / IF *100% CTR是選擇光耦合器時必須考慮的一個重要項目,此特性會因接收端不同的接收元件而有很大的差異. EX: IC=10mA/IF=5mA ? CTR=10/5*100%=200% 例如接收元件若是達靈頓電晶體,則只需要很少的輸入電流即可輸出相當大的電流.不過有一點要注意,那就是即使是使用相同構造之光電晶體光耦合器,各個光耦合